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1.
Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method under different conditions. Inter-digital transducers (IDTs) were formed on the nucleation sides of free-standing diamond films by photolithography technique. Then piezoelectric ZnO films were deposited by radio-frequency(RF) reactive magnetron sputtering to obtain the ZnO/diamond film structures. Surface morphologies of the nucleation sides and the IDTs were characterized by means of scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscope (AFM) and optical microscopy. The results indicate that the surfaces of nucleation sides are very smooth and the IDTs are of high quality without discontinuity and short circuit phenomenon. Raman spectra show the sharp diamond feature peak at about 1 334 cmI and the small amount of non-diamond carbon in the nucleation side. X-ray diffraction (XRD) patterns of the structure of ZnO/diamond films show a strong diffraction peak of ZnO (002), which indicates that as-sputtered ZnO films are highly c-axis oriented. 相似文献
2.
3.
采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5μm~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器。对GEM探测器在55Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、ΔGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响。结果表明,随着漂移区电场的增加,计数先增加后减小,在13kV/cm时达到最大值9.7×104。随着ΔGEM电场的增加,记数呈指数增长,最大可达1.2×104。随着收集区电场的增加,计数增大并趋向饱和,最大可达1.3×105。 相似文献
4.
针对水力旋流器进料固体颗粒的分离过程内部流场复杂,颗粒运动规律难以掌握的问题.基于颗粒动力学理论并引入粗颗粒(CG)概念,提出了两种数值模型来对水力旋流器中的多相流进行建模:一种是将多相流(VOF)模型与离散元法(DEM)结合起来的CG VOF-DEM模型;另一种是将混合(Mixture)模型和DEM模型结合起来的CG... 相似文献
5.
以某食品生产车间为例,依托物联网技术,以三维模型为可视化载体设计了完整的数字孪生系统.该系统主要聚焦于机器设备的运维管理过程,根据实际车间场景在虚拟三维空间搭建仿真模型,并融合物理车间的实时生产数据,反映实际场景中空间、环境、质量、产量等物理信息,实时反馈生产设备状况,形成"闭环式"运维管理模式,达到实时跟踪监控的目的... 相似文献
6.
采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜.讨论了薄膜退火前后的介电性能.研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系.通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性.结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量.获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1.2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5.73,介电损耗为0.02. 相似文献
7.
宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性,基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作,成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。 相似文献
8.
9.
采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。 相似文献
10.