AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

GaAs单片集成X波段低噪声放大器

<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用     

微波系统设计者用的全系统模拟器

<正> 引言最近十年中,人们已经公认计算机——辅助工程(CAE)技术是微波产品开发的必要工具。并开发了一大批CAE工具,从而促进了复杂的微波元件(微波系统及子系统     

车载无线电设备用的500路数字式频率综合器

1、引言由于集成电路的进步,数字式频率综合器业已赋之实用。在一般的车载无线电设备中是采用组合多个晶体振荡器输出信号的方法将本地振荡器的信号分配到多路信道中。随着信道数量的增加,采用数字式频率综合器在频率合成技术、设备尺寸和经济等方面就更具有其优点。将数字式频率综合器用于车载无线电设备,由于