半导体微细加工中的刻蚀设备及工艺

与传统湿法腐蚀比较,干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。目前,刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术,干法刻蚀设备亦成为关键设备。本文对半导体生产中刻蚀的原理、分类,结合生产实际对刻蚀工艺进行了较系统的论述,并介绍了随着硅片尺寸的增大,工艺线条进入亚微米级时代,相应刻蚀设备的发展趋势。     

Pbody浓度对VDMOS器件EAS特性的影响

从VDMOS器件EAS测试的原理出发,通过统计实际生产中出现的EAS不良现象,得出EAS测试不良的两种主要现象,一种为EAS测试后器件烧毁,显示PRE-SHORT损坏提示,第二种为EAS测试不通过显示POST-SHORT损坏提示,但器件没有烧毁。分别从器件源胞结构,以及EAS测试的时序上对两种不良现象的产生原因进行分析,得出源胞结构中的寄生电阻RB大,器件的Tf大是造成两种EAS不良的原因,提出通过提高Pbody浓度来降低源胞结构中的寄生电阻RB,并结合TCAD仿真,提出提高Pbody浓度来降低器件的Tf。最后通过对比实验验证不同Pbody浓度对器件EAS特性的影响,得到增加Pbody浓度可以有效提高器件EAS通过率与极限耐量。