电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

用ＤＭＰ４５０型电子束镀膜机,制备了Ｙ２Ｏ３ＺｒＯ２膜,并将它用作１．３μｍ半导体激光器的减反射膜．测试结果表明,镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高,线性化也有改善．对于减反程度很高的管子,出现了超辐射现象．本文对这些现象及有关机理进行了讨论．     

大位移自对准光开关微动作器的模拟和制作

报导了一种新型静电驱动扭转梁大位移微机械光开关微动作器的模拟、设计和制作。模拟结果表明，该微动作器的第一模态频率远低于第二模态，镜子的位移由梁的扭转引起。在32．8V的电压驱动下，上电极的前端位移是69．6μm，镜子的有效位移是57μm。测到第一模态频率是500Hz。利用本结构可成功地解决开关速度和大位移的矛盾。这样的位移足够使用Coming OptiFocus Collimating Lensed Fiber来对准，从而获得低插入损耗。     

硅KOH腐蚀<100>晶向凸角补偿技术及应用

在(100)硅上制作边沿<100>晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题.研究了边沿<100>晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作.实验表明:"工" 形补偿可获得方正的反射面;"Y"形补偿的微镜,反射面呈底角为75.96°的梯形.经补偿后的微镜,可提高光开关切换光束效率.讨论了(100)硅的<100>晶向掩模凸角补偿技术应用于微机械加速度计质量块制作的可能性.     

1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。