南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之二)

<正> 南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果进行了全面、认真的技术审定,并全部一致通过鉴定。这56项成果中,达到80年代中、后期国外同类产品先进水平的有27项;处国内领先地位的35项;填补国内空白的8项;国内先进水平的4项。现将微波半导体的部分成果介绍如下:     

南京电子器件研究所一九八七年度科研成果简介

<正> 南京电子器件研究所一九八七年度在微波半导体和光电两个专业领域又取得了一批新成果。共有四十余项分别通过了部(省)、局级和所级鉴定。十二月十六日就微波半导体专业的部分产品召开了定型鉴定会。国防科工委、电子部、南京市等上级机关领导及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共一百多人对十七项成果进行了全面、认真的技术审定,作出了高度评价。鉴定会开得圆满成功。现将微波专业的部分成果介绍如下: ●WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管 其主要参数为:在16和工8GHz下1dB增     

中国电子学会第三届学术年会在南京召开

<正>为纪念中国电子学会成立二十周年,中国电子学会第三届学术年会,经过一年多的积极筹备,于1982年10月15～18日在南京召开.第三届学术年会是中国电子学会建立以来规模最大、涉及面最广的一次电子科技学术盛会.参加年会的有各方面学者、专家和工程技术人员500余人,入选论文达269篇.论文涉及的     

南京电子器件研究所一九八九年度科研成果介绍

<正>一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:     

1988年国际固体器件和材料会议简况

<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175篇。我国派出5名代表,发表了3篇论文(北京师范大学,东南大学,南京电子器件研究所各1篇)。这次会议内容涉及面非常广泛,包括了当今世界上正在研究的许多重要课题,主要内容有:MOS器件和技术,功率器件,硅工艺技术,金属化,高速器件,栅绝缘和热电子,SOI,硅异质结构,Ⅲ—Ⅴ族特性和工艺技术,光电器件,化合物半导体生长等。会议举行了四个专题报告会:高温超导薄膜性能和应用,原子尺寸器件结构和材料性能,高级硅器件工艺和性能,高级Ⅲ-Ⅴ族器件物理和性能。会议还举行了题为“高速器件低温工作”的自由讨论会,讨论气氛非常热烈,表示高速器件的低温     

南京电子器件研究所一九八八年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八八年度在微波半导体和光电两个专业领域取得了22项鉴定成果,其中部级鉴定四项,省级鉴定两项,其余为所级鉴定。现将微波半导体专业的部分项目介绍如下: WB64型GaAs电调变容二极管 该器件是根据宽带压控振荡器的需要而研制的。它采用缓变浓度分布GaAs外延材料,SiO_2钝化,平面扩散超突变结构,与通常的超突变结变容二极管相比,具有电容—电压斜率指数γ(γ=1,1.25)为常数,电容变化比大(R_(CT)=8)的特点,采用超小型金属—陶瓷同轴封装,具有寄生参数小的优点。器件主要技术指标与国外     

南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二

<正>1990年3月10日至12日南京电子器件研究所在南京召开了第33次科研成果鉴定会.对1989年度余下的18项科研成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业14项,光电专业8项.这次鉴定会展示了该所近年来在半导体及光电领域中取得的进展.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:     

江苏省电子学会半导体集成电路学会第二次学术会议在镇江召开

<正>江苏省电子学会半导体集成电路学会于1983年5月5日至8日在镇江召开了第二次学术会议.省内二十余所高等院校、研究所、工厂的近80名代表参加了会议.镇江市科委、科协委派代表参加了会议.这次学术会议是1979年江苏省电子学会恢复活动以来,半导体集成电路专业学会的一次规模较大的学术交流会议.与1980年第一次学术会议相比,这次会议在论文质量、数量、会议效果上都有明显的提高.     

南京电子器件研究所获国家级奖励的科技成果介绍

<正>最近国家科学技术进步奖评审委员会评定出我国第一批1772项国家级科学技术进步奖,南京电子器件研究所(由南京团体器件研究所和南京钟山电子技术研究所合并后的新所名)共获得五项,其中一等奖二项,二等奖三项.获国家级科技进步奖一等奖的项目是:毫米波体效应二极管及振荡器系列,低噪声砷化镓场效应晶体管系列(与河北半导体研究所共同获得).获国家级科技进步奖二等奖的项目是:W0061型8千兆赫广播电视接力系统无人值守中继机,SC-25型记录高速瞬态信息硅靶扫描转换管,硅增强靶微光摄象管.在另一项获一等奖的项目卫星通信系统中采用了该所研制的W205型4千兆赫低噪声参量放大器作卫星地面站的前置低噪声放大器.现将这几项科技成果分别简介如下:     

基于RFID技术的设备信息化管理系统研究

在基于设备信息化管理思路上,首先比较了两种识别技术,选取了实用于铁矿选矿环境的RFID技术并分析了其基本组成原理、相应功能和优缺点,给出了选矿厂设备点检系统基础模型,并结合考察结果与李楼铁矿实际需求,设计了系统结构,阐述了点检系统与其它子系统间的接口关系,最后分析了该系统应用前景。