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应用透射电子显微镜技术和数值模拟计算,对基于材料Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器单元有源区RESET电流的影响进行了研究,主要包括有源区晶粒结构和晶粒区域大小对RESET电流的影响。综合分析透射电子显微镜、数值模拟和实际测试结果,最终发现通过得到较大的材料晶粒为立方晶相的有源区域,可以有效地降低后续操作的RESET电流。 相似文献
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分别从不同的催化剂体系,不同装置的生产方式方向对不同种类的聚乙烯树脂进行了介绍和对比。列举了国内近几年聚乙烯树脂供需现状,对未来进行了预测,同时对市场特点进行了分析,最后提出了一些建议及展望。 相似文献
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针对Flash写前需擦除,读写I/0开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)访问性能以及降低系统功耗具有重要理论意义和应用价值。文章提出了一种新型存储架构,并实现了一种适用于SSD的基于相变存储器(Phase Change Memory,PCRAM)数据页聚簇的缓冲算法。文章中详细介绍了基于PCRAM聚簇的缓冲算法关键技术及原理,充分阐述算法相关元数据、存储数据、FTL管理与控制以及详尽分析了缓冲算法的读、写操作控制原理,最后通过F1ashSim仿真平台实现SSD写缓冲。基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度,降低系统功耗。 相似文献
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基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验.分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET操作电流的关系进行了研究.实验结果表明,存储单元的疲劳寿命和RESET脉冲幅值的平方呈反比关系,和脉冲宽度呈反比关系.在相变存储器的操作过程中,高阻态下的电阻值出现先减小后增大的漂移现象,这是因为操作电流会对相变材料组分产生影响,在相变材料层中会出现逐渐增大的孔洞,孔洞最终导致相变器件失效,与实验中高阻态阻值漂移现象相吻合,同时可以用来预测存储单元的疲劳寿命. 相似文献
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对一系列蓝光和蓝绿光器件展开研究,发现结构为ITO/NPB(40nm)/mCP(5nm)/mCP∶FIrpic(30nm)/TPBi(2nm)/TPBi∶Ir(ppy)3(10nm)/TmPyPB(40nm)/LiF(1nm)/Al的蓝绿光器件具有最佳光电性能,其电流效率高达38.3cd/A。基于该结构,结合采用红色荧光染料DCJTB制备的颜色转换层实现了三原色白色有机发光二极管(White Organic Light-emitting Diode,WOLED)。结果表明,器件性能可通过DCJTB浓度进行调控,当其浓度为0.7%时,实现了电流效率为23.9cd/A、色坐标为(0.35,0.43)及色温为5121K的WOLED,且电流密度从1mA/cm2变化到100mA/cm2,其色坐标仅漂移(0.005,0.003)。 相似文献
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针对Flash写前需擦除,读写I/O开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(SolidState Disk,SSD)访问性能具有重要理论意义和应用价值.通过分析SSD关键技术及现有缓冲区管理算法,实现了一种适用于SSD的基于写数据页聚簇缓冲算法.文章中详细介绍了该算法关键技术及原理,并通过FlashSim仿真平台实现SSD写缓冲.基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度. 相似文献
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研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定的低阻,通过相变存储器的场致导电通道结晶模型很好地解释了该瞬态结晶现象。 相似文献