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本文通过对比频散特性和滞回特性,计算界面态密度Dit和有效边界缺陷密度ΔNbt,分析界面缺陷和漏电流等方法,系统的研究了In0.53Ga0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al2O3/InGaAs结构MOS电容特性的影响。实验结果表明,这两种方法都能够在InGaAs表明形成一层界面钝化层。相比较于未处理的样品,经过氮气等离子体处理的样品表现出较好的界面特性,得到了最小的积累区频散、滞回电压,以及良好的I-V性能。经过(NH4)2Sx处理的样品则获得了最小的平带电压区频散以及最低的界面态密度Dit=2.6E11cm-2eV-1. 相似文献
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2018年大检修期间,停窑拆除耐火砖,硅莫砖部位筒体吸潮"冒汗"现象严重,窑筒体形成栅格状有大量的腐蚀层,37.8 m处挡砖圈阶梯靠窑头侧有20~30 mm宽的环向凹槽,欲更换的34.7~37.5 m处宽2.8 m筒体冷却后在短时间内由3道裂纹增至数十条对称裂纹。为了防止更换窑砖与筒体后再次发生腐蚀、产生裂纹,通过筒体探伤、测厚、腐蚀层及筒体检测等对回转窑筒体裂纹及腐蚀机理进行研究分析,得出结论:应力与腐蚀是筒体裂纹产生的主要原因。腐蚀主要原因是高温氧化、硫化腐蚀、氯化腐蚀。针对裂纹与腐蚀采取有效的处理方法,并提出防范措施。 相似文献
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