基于标准CMOS工艺的片上太阳敏感器研究

微纳卫星对于载荷的苛刻要求使得太阳敏感器的微型化研究具有重要意义。为了解决光学器件和处理电路的集成兼容问题,文章基于标准CMOS工艺提出一种新型片上太阳敏感器,以金属走线层构建微型墙结构,两侧均匀分布pn结构成光电传感器,通过检测两侧光电流比例解算出入射光角度。文章从工艺实现、模型建立、数值仿真和实验测试等方面验证了器件的合理性和可行性。最终,片上太阳敏感器阵列芯片质量为1.5g,尺寸为304.2mm³,检测精度为±1.6°,视场范围为80°,可满足微型化需求。     

一种DC-DC芯片内建可测性设计

DC-DC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制，有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难. 文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法，在芯片内部设计时只需要增加规模较小的测试电路，就可以在芯片外引脚上测量芯片内部众多的参数.     

降压型DC-DC转换器自调节型斜坡补偿电路设计

本文给出一种用于降压型DC-DC转换器的自调节型斜坡补偿电路.文章从斜坡补偿的基本原理出发,根据电流环稳定的条件,设计出了一种补偿量随输入输出电压自动调节的斜坡补偿电路.该斜坡补偿电路的优化设计避免了因过补偿而带来的系统瞬态响应慢和带载能力低等不良影响.该电路基于Samsung BCH4工艺设计,经Hspice仿真验证达到设计目标.     

KXY-2型铝-锌合金阴极保护器的应用

本文介绍了KXY-2型铝-锌合金阴极保护器的结构及原理,通过现场实际应用中,有效地减缓了生产井的电化学腐蚀程度,延长了生产井的作业周期,达到了预期效果,并且取得了较好的经济效益。     

采用二次曲线校正的CMOS带隙基准

利用MOS管饱和电流对于"过驱动电压"的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5 μm CMOS工艺,在-40～120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10-6/℃减小到4.5×10-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12 μA,输出基准电压可在0～1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性.     

减小DC-DC中斜坡补偿对带载能力的影响

电流模PWM集成DC-DC变换器设计中,为了防止亚谐波振荡而普遍采用的斜坡补偿,会在占空比较大时严重影响芯片的带载能力.文中提出的方法减小了斜坡补偿对最大电感电流的影响,从而在大占空比时电感电流仍旧可以保持较大的峰值,提高了芯片的带载能力.实现中采用了一种新颖的复合比较器,将三个比较器和部分逻辑的功能在一个复合比较器中实现,功耗仅等于一个传统比较器的功耗,并且电路紧凑简洁,易于实现.     

离散系统差分方程的求解问题

讨论了差分方程经典解法的有关问题。对于可以用差分方程．y(k) an-1y(k-1) an-2y(k-2) … a0y(k-n)=f(k)(f(k)为因果信号)描述的离散因果系统直接用初始状态(即y(-1),y(-2),…,y(-n))来确定完全响应中齐次解的待定常数,而不必导出初始值(即y(0),y(1),…,y(n-1))。     

便携应用DC-DC轻负载高效率的实现

提出了一种新颖的DC-DC环路控制结构.轻负载时芯片自动进入省电模式,通过检测反馈电压使其在待机状态与固定峰值状态切换工作,平均静态功耗以及开关功耗大大减小,提高了轻负载效率,延长了便携应用电池的使用时间.内部同步整流消除了肖特基二极管的使用,进一步提高了效率.该结构在一款0.5μm CMOS工艺的降压型DC-DC中进行了投片验证.输入电压3.6V,输出电压1.8V条件下,待机状态静态电流仅为25μA,0.1mA负载下效率高达62%.最高效率为96%.     

光纤温度传感器在气体管道泄漏监测上的应用

光纤泄漏监测技术是国际上公认的、有应用前景的长输管道泄漏监测解决方案,但在地埋气体管道上尚无明确的有效监测范围.为了测定有效监测范围,采用不同压力的氮气,在直径为355 mm的管道上进行了不同位置和不同孔径的泄漏模拟试验.试验结果表明:光纤温度传感器的有效范围受泄漏孔径大小的影响很小,受压力和位置的影响较大,也会间接受...     

CMOS电压基准的设计原理

电压基准是集成电路一个重要的构成单元。结合多年设计经验，介绍了五类CMOS电压基准的设计原理、理论推导、参考电路、特点和主要性能指标，给出了主要参数的计算公式。最后，对各种CMOS电压基准的性能进行了比较。