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1
1.
氧化镓材料与功率器件的研究进展
何云龙
洪悦华
王羲琛
章舟宁
张方
李园
陆小力
郑雪峰
马晓华
《电子与封装》
2023,(1):69-76
氧化镓(Ga
2
O
3
)以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga
2
O
3
的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。对Ga
2
O
3
外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了Ga
2
O
3
在未来的应用与发展前景。
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