排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
为了实现半导体微盘磁光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,CaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化,并根据此模型计算微盘外的远场分布,并进上步计算有效增益因子。分析表明,这种结构能够实现m=1角模式的面发射。 相似文献
5.
6.
用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
7.
8.
9.
半导体垂直腔面发射激光器(VCSELS)近几年来取得了很大的进展,其重要的原因就是引人了高铝组分的AIGaAS湿氧化技术.AIAs选择性氧化所形成的电流窗口,其直径可降至~lpm,从而使VCSELs的阈值电流降至五毫安以下,并增加了泵浦到有源区的效率,同时改善了输出激光模式,获得单模工作.由AIAS湿氧化后所形成的AIOx与GaAS构成的DBR反射镜,由于AIOx与GaAs的折射率反差增大,从而减少了所需要的AIAS和GaAS对数.实验样品为AIAS/GaAS多层DBR,经选择性化学腐蚀后露出有… 相似文献
10.
对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献