基于X-LiNbO3/SiO2/Si低温漂、大机电耦合SH-SAW谐振器的设计

铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k² eff＞30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN 的频率温度系数较大(TCF ＞ -50×10^-6/℃),这不仅会降低滤波器的可用有效带宽,同时也会限制器件的功率处理能力。采用3D周期有限元模型对基于X 切LN/SiO₂/Si结构SH 声表面波(SH-SAW)谐振器进行了优化研究。研究结果表明,当SH-SAW 传播角ψ=-10°~-20°、LN和SiO₂ 膜厚分别为hLN=0.1λ 和h_SiO2 =0.2λ(λ 为叉指换能器周期)、铝电极金属化率η=0.4、电极相对厚度h_Al/λ=5%~10%时,SH-SAW 谐振器的 k² eff 约为30%,且其TCF＜-20×10^-6/℃,有望用于开发新一代的低温漂、超宽带5G SAW 滤波器。     

具有宽阻带和高共模抑制的差分滤波器设计北大核心CSCD

将阶跃阻抗谐振器与叉指耦合结构及扇形加载枝节相结合,设计了一款差分带通滤波器。该差分滤波器实现了极宽的差模阻带,并且通过引入非对称加载枝节,实现了抑制水平为16.7 dB的超宽共模抑制特性。此外,该差分滤波器在差模通带内的共模抑制水平可达63.1 dB。对设计的滤波器进行了制作和测试,测得滤波器的中心频率为2.94 GHz,相应的3 dB频带范围为2.85~3.03 GHz。该滤波器具有小型化的特点,电路尺寸仅为20.87 mm×14.96 mm,最终的测试结果和仿真结果吻合良好。     

一种具有陡峭边带的宽带带通滤波器设计

基于一种新型的多模谐振器设计了一款宽带带通滤波器,该多模谐振器由鱼骨形谐振器及中心加载倒T形谐振器构成。滤波器的中心频率位于2.47 GHz,相对带宽为100%。滤波器具有极高的频率选择性,其边带滚降速度分别为232 dB/GHz和168 dB/GHz。此外,滤波器还具有较低插入损耗0.4 dB,紧凑的电路尺寸以及宽阻带抑制能力。     

基于双方环结构的超宽带平衡滤波器设计

平衡滤波器因具有卓越的抗噪声及抗电磁干扰能力而在繁杂频谱环境下的低噪通信系统中显得至关重要。该文提出了一款具有共模抑制特性的平衡滤波器,通过差共模理论结合导纳矩阵及传输矩阵完成了分析设计。该滤波器中心频率为1．4 GHz,相对带宽可达74．3%,覆盖2G、GPRS、3G及4G LTE频段。同时该滤波器的边带具有两对传输零点,故其具有理想的边带滚降速度及边带抑制水平。滤波器全差模通频带内共模信号抑制水平均优于10 dB,差模阻带抑制优于20 dB,电路尺寸仅为0．17λ_g×0．17λ_g。