大功率GaN芯片封装的设计与热分析

文中以硅铝合金为封装材料,分别采用AlN,Al_2O_3,聚四氟乙烯作为芯片基板,设计出一种适用于大功率GaN芯片的封装模型。利用ANSYS软件,模拟模型中GaN芯片在循环温度-55～125℃条件下的热应力分布情况。研究结果表明,以聚四氟乙烯为基板的模型芯片所受应力最大,Al_2O_3次之,AlN最小。研究结果对新型航空航天器件中大功率芯片封装设计提供了参考依据。     

基于变焦显微测量技术的键合金丝参数测量

欧美国家在半导体行业一直以来对我国实行技术封锁政策,我国许多关键技术和设备只能依靠进口,其中就包括键合金丝参数测量设备。键合金丝参数测量设备主要用于自动检测键合金丝的拱高和跨度等参数。由于键合金丝的回波损耗、驻波等微波传输特性与键合金丝的拱高、跨度等参数呈对应关系,因此可以通过测量相关参数的方法来检测键合金丝的微波传输特性是否合格。通过这一方法可以解决人工测量导致的速率低下的问题,提高键合质量检测效率,降低检测成本。本文基于变焦显微测量技术实现了键合金丝参数的测量。该方法通过自主设计的图像采集平台,获取到键合金丝的一组图像,然后进行聚焦区域提取,从而实现键合金丝的三维重建及参数测量。该方法对键合金丝拱高的测量精度<0.01 mm,相对误差<1.5%,对键合金丝跨度的测量精度<0.005 mm,相对误差<0.7%,可以满足自动检测键合金丝参数的设计需求。