集电极扩散隔离,基极扩散隔离,三次掩蔽隔离及纵向各向异性腐蚀隔离

在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)工艺数多,易降低成品率。可以说这两点妨碍了它的发展。双极集成电路,甚至在LSI的场合都是使用图1所示的结构。它是原封不动的在集成电路中采用了过去外延平面晶体管结构。但集成电路有两点限制,即:     

硅的局部氧化器件

说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能导致高的包装密度。另外,在双极晶体管的制备中这个方法能自对准,这使工艺过程简单了。在MOS集成电路中可以制作自对准的栅氧化区以及自对准的扩散沟道截断环。这样用比较简单的工艺可以实现P型沟道以及N型沟道MOS电路。通过氧化物-氮化物夹层结构的控制钻蚀(LOCOS-Ⅱ工艺)可更好的制作沟道截断环。     

300MW机组化学监督全过程质量管理

<正> 青岛发电厂 1号机于 1993年 10月开工,1995年11月试运,12月22日移交生产。为提高对1号机的化学监督水平,真正做到“预防为主”及时发现和消除设备隐患,保证机组安全、经济、稳定运行。按照部、局颁发的化学监督制度、导则、条例、全过程管理细则以及我们对各阶段化学监督工作的认识和操作的能量,我们主要就如何加强热力设备和化学设备的全过程质量管理开展了一些工作,并取得较好的效果。