离子色谱在元器件腐蚀失效分析中的应用研究

电子元器件在应用过程中经常出现污染腐蚀失效,查找引起失效的污染、腐蚀源是分析技术的关键。本工作通过几种不同类别电子产品失效分析案例,研究了离子色谱检测(IC)在板面残留、工艺辅料、产品包封料、环境异物中污染腐蚀源的检验和分析方法,并与传统的形貌观察、绝缘阻抗测试、EDS成分分析、红外光谱分析的结果进行综合对比和验证。明确了离子色谱检验方法在电子元器件腐蚀失效分析中的应用场景、取样方法和结果分析方法,为离子色谱在电子元器件腐蚀失效预防中的工程应用提供指导和借鉴。     

Ａｇ 电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析

在阐述银电化学迁移机理的基础上，利用体视显微镜、晶体管图示仪、光学显微镜、X射线检测系统及扫描电子显微镜等技术手段，系统分析了智能电表中肖特基二极管的电化学失效原因。结果表明：二极管芯片正面局部区域遭受了S污染，并发生了Ag电化学迁移现象；芯片边缘析出了Ag枝晶，导致芯片发生短路烧毁，二极管最终失效。本工作的研究成果为电子封装互连焊点中的电化学迁移导致的失效分析提供实践参考。