关于铀的晶粒度的测定

从使用观点来说,晶粒度是铀的很重要的数据之一。特别是当我们考虑加工处理条件或杂质含量对晶粒度的影响时,如何精确测定晶粒的大小是个关键问题。对于在α相加工并经再结晶的铀,它的晶粒非常均匀,呈正规的多角形状;但是经过相变的铀,晶粒不但变粗大,而且形状和大小都非常不规则。因此,寻找一种能够简便而正确地测定经过处理后的铀的晶粒大小的方法是非常必要的。现在已知的测定晶粒度的方法有:(1)加尔德纳(Gardner)提出     

金属玻璃(Fe_(0.6)Ni_(0.4))_(82)Si_8B_(10)结构弛豫和晶化过程的正电子寿命研究

我们对金属玻璃(Fe_(0.6)Ni_(0.4))Si_8B_(10)在等温退火过程中的正电子寿命进行了测量(结果如图),退火温度为425℃。图中所示的正电子寿命值是单分量拟合的结果。为便于讨论,我们在图中还示出了同样样品的ΔS-tα曲线,ΔS是相对于Cu的热电势,X射线相分析证明了热电势显著变化的阶段与样品析出新的晶化物相对应。与热电势测量的结果相比较,整个寿命随退火时间的变化分为两大部分(以d点为界):结构弛豫部分和晶化部分。     

溶体的次正规模型对二元平衡图热力学分析的运用

讨论了利用次正规溶体模型对二元平衡图进行热力学分析的一些结果,得出了各种典型复相平衡情况下溶体次正规性的判别式。计算表明,周期表第Ⅲ_B,Ⅳ_B,Ⅴ_B族各元素和Ge形成的溶液可以近似地用次正规模型描述;至少在化合物成分附近,Ga-As系统的溶液近似是正规的,In-Sb系统溶液是次正规的,并求出了它们相应的正规和次正规常数。从平衡图得到的次正规常数可以用来对溶液的热力学性质进行估算。     

K_(0.3)MoO_3表面结构的STM研究

本文利用扫描隧道显微镜从原子尺度上研究 K_(0.3)MoO_3表面结构。获得了分辨率优于5(?)的形貌象。首次提供 K(1)原子从表面逃逸的信息。     

APPLICATION OF THE SUB-REGULAR SOLUTION MODEL TO THE THERMODYNAMICAL ANALYSIS OF BlNARY EQUILIBRIUM DIAGRAMS

讨论了利用次正规溶体模型对二元平衡图进行热力学分析的一些结果,得出了各种典型复相平衡情况下溶体次正规性的判别式。计算表明,周期表第Ⅲ_B,Ⅳ_B,Ⅴ_B族各元素和Ge形成的溶液可以近似地用次正规模型描述;至少在化合物成分附近,Ga-As系统的溶液近似是正规的,In-Sb系统溶液是次正规的,并求出了它们相应的正规和次正规常数。从平衡图得到的次正规常数可以用来对溶液的热力学性质进行估算。     

CALCULATION OF THE THERMODYNAMICAL PROPERTIES OF In-Sb SYSTEM

根据前文中求得的次正规溶体模型运用于同分熔解化合物的关系式,进一步讨论了In-Sb系统的热力学性质。由已经求得的两个次正规常数,计算了InSb化合物的标准形成自由能ΔF_(Insb)~o(T)(以液态组元In和Sb为标准态),并计算了In-Sb平衡图中和InSb化合物处于平衡的液相线,计算结果与实验数据均能良好符合。本文并针算了In-Sb溶液的各热力学函数及组元的活度,和Terpilowski的实验数据作了比较。     

三组份金属-介质复合体系的弥散结构模型与有效介电函数

本文提出了三组份金属颗粒－介质复合人格绵一种弥散结构模型,推导出其有效介电函数的关系式,利用该关系式可以很方便地求解出多组份复合体系的有效介电函数值,对（Ａｕ,Ａｇ）／ＳｉＯ２三组份复合体系的光吸收系数进行了理论计算,计算结果给出了多共振吸收峰的存在,与实验测量的光吸收谱进行了对比。     

铟-锑系统热力学性质的计算

根据前文中求得的次正规溶体模型运用于同分熔解化合物的关系式,进一步讨论了In-Sb系统的热力学性质。由已经求得的两个次正规常数,计算了InSb化合物的标准形成自由能ΔF_(Insb)~o(T)(以液态组元In和Sb为标准态),并计算了In-Sb平衡图中和InSb化合物处于平衡的液相线,计算结果与实验数据均能良好符合。本文并针算了In-Sb溶液的各热力学函数及组元的活度,和Terpilowski的实验数据作了比较。     

非晶合金(Co_(0.85)Ni_(0.08)Fe_(0.06)Nb_(0.01))_(75)Si_(10)B_(15)的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了非晶合金(Co_(0.85)Ni_(0.08)Fe_(0.06)Nb_(0.01))_(75)Si_(10)B_(15)的结构弛豫和晶化过程。样品取自觉42mm、厚0.035mm的快淬非晶条带,经X射线衍射证明是非晶态。样品在真空中不同温度下等时退火40分钟,处理后的样品在室温下进行正电子湮没寿命测量。同样样品在室温下进行热电动势测量,将结果和正电子寿命结果比较。