超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构--非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称Halo LDD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称LDD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

新型SON器件的自加热效应

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较．提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度．还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导．     

佳木斯隆起东南缘地质背景,金矿成矿地质条件及找矿方向

佳木斯隆起东南缘是由佳期地块,兴凯地块和龙岗地块经过漫长的地质时期逐渐增生拼合而成的,该区缺失前寒武纪时期的含金建造,缺少变质热液型和韧性剪切带型金矿床产出的成矿地质条件,主要金矿床类型应是火山－岩浆热液活动相关的（次）火山热液型,斑岩型和矽卡岩型金矿床,找矿方向是燕山期浅成,超浅成中酸性小侵入岩体。     

辽东小佟家堡子金矿床地质特征及成矿机理探讨

小佟家堡子金矿床产于辽河群大石桥组顶部薄层大理岩与上覆盖县组底部片岩的“互层带”内,属原始沉积、变质富集、岩浆改造型多因复成矿床。地层、构造和印支燕山期岩浆岩同时并存是形成小佟家堡子金矿床的基本成矿规律。     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化.最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法,从而实现了结构参数的优化选取,使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛.     

新型SON器件的自加热效应

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.