恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

在恒磁场为0～2T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试.结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显.磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化.依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟.     

9位100 MSPS流水线结构A/D转换器的设计

提出一种采用三级流水线型结构的9位100 MSPS折叠式A/D转换器,具体分析了其内部结构。电路使用0.6 μm Bipolar工艺实现, 由5 V/3.3 V双电源供电, 经优化设计后, 实现了9位精度,100 MSPS的转换速度,功耗为650 mW,差分输入范围2.2 V。给出了在Cadence Spectre的仿真结果,讨论了流水线A/D转换器设计的关键问题。