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1.
借鉴光波导设计的传输矩阵法思想 ,引入传输矩阵方法进行量子阱设计的应用 ,以 980nm半导体激光器用的应变量子阱为例 ,利用MOCVD外延生长技术设计生长了InGaAs/GaAs应变量子阱结构 ,测量PL谱峰值波长与设计波长吻合 ,X双晶衍射仪标定的量子阱组分和厚度基本与设计一致 ,从而验证了传输矩阵法用于量子阱设计是一种有效快捷的方法。  相似文献   
2.
对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlXGa1-X)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。  相似文献   
3.
应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.  相似文献   
4.
国际标准化组织合格评定委员会对ISO/IEC指南65:1996进行了技术性修订,并于2012年9月15日发布了ISO/IEC17065:2012。为了便于业内人士较全面了解标准的修订情况、熟悉新标准的内容以及新旧标准的异同,本文从ISO/IEC 17065:2012的修订历程、修订情况和主要内容的修订情况等方面进行了介绍。  相似文献   
5.
ISO/IEC 17065:2012是ISO/IEC指南65:1996经较大技术性修订而成,主要变化包括标准名称变更、按照ISO/IEC 17001-17005等标准对合格评定用文件中通用要素编写要求将标准结构重新编排、引入合格评定功能法、引用认证方案的概念以及认证机构管理体系的两种可选方式。同时,标准中明确了产品、过程和服务认证的总体目标和价值,并强调标准是围绕认证机构能力、一致性运作和公正性等三个方面的要求。在对以上国际标准内容进行概述的基础上,对比分析该标准与ISO/IEC指南65之间的联系和差异点。  相似文献   
6.
计算出与GaAs衬底相匹配的In1-xGaxAsyP1-y组分x和y的约束关系,并加以验证;用约束关系简化带隙与组分x和y函数关系,使之变为单变量y的函数,并给出晶格常数、带隙与组分关系的三维图,并长出材料加以证实.  相似文献   
7.
(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlXGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。  相似文献   
8.
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.  相似文献   
9.
AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.  相似文献   
10.
正(上接2014年第1~2期第49页)3.7?对产品认证机构的"资源要求"在本标准第6章规定了对认证机构的资源要求,这是对认证机构能力的核心要求。首先,标准要求认证机构应雇用或有途径得到与认证方案和适用标准以及其他规范性文件相关的运作的足够数量的人员,所有认证人员都应有能力履行其所承担的职能,并保护其在实施认证活动中获得所有机密性的信息。为此,认证机构应对认证人员实施管理过程,包括聘用签约、职责与权限、  相似文献   
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