首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
免费
0篇
国内免费
1篇
专业分类
无线电
1篇
出版年
1996年
1篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有1条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究
苏毅
张秀珠
陈良尧
包宗明
钱佑华
薛自
盛伯苓
《半导体学报》
1996,17(3):207-211
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH=5.3的BHF中腐蚀,再经去离子水漂洗后,可得到较稳定的Si(111)表面,在空气中一小时之内基本不氧化.
相似文献
1
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号