非晶ZSO透明导电薄膜的P-MBE制备

采用射频等离子体辅助分子束外延技术(P-MBE),在石英玻璃基片上制备了高纯度的透明导电ZSO薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜、Hall测试仪和光谱测量等表征技术,研究了射频功率对ZSO的结晶性能、表面形貌、电学参数及透射率等的影响.研究结果表明,在室温350W离化气源功率下,非晶态ZSO薄膜表面平整度高,室温电子迁移率达11.47 cm2·V-1·s-1,电阻率为1.497 Ω·cm,光学禁带宽度为3.53 eV.分析得出,采用此工艺制备的非晶ZSO透明导电薄膜,具有优良的光电性能,是制备透明导电薄膜晶体管的优良宽禁带半导体材料.