AuGeNi/n—InP欧姆接触研究

本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.     

用于X波段宽带VCO的体效应管芯研制成功

<正>研制了一种以渡越畴模式工作的连续波体效应二极管管芯,管芯为n~+-n-n~(++)GaAs台式镀金热沉结构。在设计研制中特别考虑了:(1)正确选择并严格控制管芯工作的中心频率;(2)设计工作电压于负微分电导较大区域;(3)准确控制工作电流;(4)控制管芯电容,以保证VCO的调谐带宽。     

用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触

利用CW-CO_2激光辐照代替热合金化,制成了良好的AuGeNi/n-InP和Au/AuGeNi/n-InP欧姆接触.由激光合金化获得的接触电阻率可与热合金化的最佳值相比.俄歇电子能谱分析表明,合金的组份得到了较好的混合,而且在界面附近形成了Ge的分布峰,因而导致良好的欧姆接触.