HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.     

HEMT的新型分析模型

本文提出了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的新型分析模型。模型采用了Giblin等提出的经验电子速场公式,并全面地考虑了沟道电流的扩散分量及GaAs缓冲层寄生电阻的影响。理论计算的HEMT Ⅰ-Ⅴ特性与实验结果符合很好。由本文模型还推导出了HEMT沟道电导、跨导、栅电容和截止频率等微波参数表达式。     

具有栅电流修正的肖特基势垒技术测量迁移率分布

砷化镓肖特基场效应管有源层中的电子迁移率分布对器件有重要的影响,改变负栅偏压可以测出不同深度处的迁移率,但是由于表面总是处在耗尽状态,因此很难测出表面电子迁移率,本文介绍一种微分直流等效模型,使肖特基势垒可以正偏且较好地包括了栅电流修正.应用这一模型,可以较精确地测出非常接近表面的漂移迁移率和几何磁阻迁移率,模型推导较严密,物理意义清晰.     

具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT

本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.     

基于新的2DEG速场特性的HEMT分析模型(英文)

A novel analytic model for HEMT's is developed. In this model, the empirical formula suggested by Yeager et al. is used to approach the behavior of electron drift velocity vs electron field of 2DEG. And the diffusion component of the current and the effect of the parasitic resistance of the undoped GaAs buffer layer are properly involved in this model. The model is divided into two regions: the linear region and the saturation region, being continuous at the pinch-off voltage. The calculated output current-voltage characteristics are in excellent agreement with experimental data. Using this model, the microwave parameters of HEMT such as channel conductance, transconductance, gate capacitance, and cut-off frequency are derived.     

宇通重工参加哈萨克斯坦“中国商品展览会”

日前，由中华人民共和国商务部外贸发展事务局、新疆生产建设兵团商务局等单位联合哈萨克斯坦工商会主办的“中国商品展览会”在哈萨克斯坦阿拉木图市隆重举行，共有来自全国14个省份的150多家企业参展，展品包括机械化工、五金建材、电子及轻工产品等2000多种商品。宇通重工参展样机在此次展会上一经亮相，就倍受关注。