X波段SMP型同轴线滤波连接器的设计

本文描述了X波段糖葫芦式SMP型同轴滤波连接器的设计。通过三维电磁场仿真,确定糖葫芦结构的尺寸,达到射频性能设计要求。     

1.85mm型58GHz毫米波电缆组件的设计

本文描述了1.85mm型58GHz电缆组件的设计。通过三维电磁场仿真,确定连接器内部尺寸、连接器内部与电缆的连接方式及尺寸,达到射频性能要求。     

8～18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度＞５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度＞５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

SMP-MAX板对板射频连接器与PCB组件的整体仿真设计

本文描述了一套轴向和径向大容差板对板浮动连接器与PCB组件的整体仿真设计及应用方式。通过三维电磁场仿真,确定连接器内部尺寸和PCB Layout形状和尺寸,达到整体射频性能要求。     

X波段单刀双掷波导开关

介绍了采用ＰＩＮ管的Ｘ波段单刀双掷波导开关的工作原理、电路设计、关键技术和测试结果。该开关的频率为９．４５￣９．９０ＧＨｚ,插入损耗不大于０．５ｄＢ,隔离度大于３０ｄＢ。开关驱动器一体化,由ＴＴＬ信号控制。     

L波段大功率宽脉冲高隔离单刀双掷PIN开关

南京电子器件研究所研制的大功率宽脉冲高隔离ＳＰＤＴ开关,采用ＰＩＮ管芯全并联结构,利用Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅ软件进行电路拓扑优化设计。具有承受功率大、插入损耗小、隔离度大、单电源（＋２４Ｖ）供电、ＴＴＬ脉冲信号控制等优点,适用于雷达及通讯系统中。制作的...     

PC7-QMA射频同轴转接器的设计

本文描述了PC7-QMA_ Male/Female射频转接器的设计.通过三维电磁场仿真,确定连接器内部结构和尺寸,达到射频性能要求,并制作了样品进行测试.结果表明,该转接器在DC-6GHz频带内具有驻波低、插入损耗小的特点.     

8￣18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８￣１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度〉５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度〉５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

SMP-MAX 和 R-SMP-MAX 转接器的设计及三阶互调性能比较

文章介绍了笔者所设计的SMP-Max、 R-SMP-MAX 转SMA和转N型转接器的规格及性能，并对其进行了三阶互调性能的测试和比较。     

吸收式低相移电调衰减器

南京电子器件研究所研制成功了ＷＳＢ１００１型吸收式低相移电调衰减器。研制中提出了一种简便的实现低相移的方法。将衰减器与移相器技术结合起来，通过计算机优化设计，保证了衰减器在偏置电流加大、衰减量连续增加下，在整个动态范围内，任意态相对初始态的相位变化很...