CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火

一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶粒长大,使杂质电激活,可以提高多晶硅薄膜的电学性能,引起了人们的广泛重视,特别是绝缘衬底上的多晶硅薄膜经激光退火后有可能转变为单晶,给立体大规模集成电路的实现带来希望,吸引了不少活跃在这一研究领域的科学工作者。在半导体激光退火中,激光束的脉冲宽度对激光退火的结果有决定性的影响。微微秒脉冲宽度的激光束能使单晶半导体材料变成非晶材料,毫微秒脉冲宽度的激光束以熔化外延方式再结晶,使离子注入半导体单晶材料的非晶层转变为单晶,毫秒脉冲宽度的激光束(连     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

高能耗变压器改造途径及效益

对高能耗变压器实施改造，可降低变压器温升和损耗，提高过载能力，减缓绝缘老化进程，延长其使用寿命，因此具有长远的经济效益。目前，农村电网中运行的高能耗变压器仍然较多，若在短期内将这些变压器全部更新，投资太多，难度较大，而对其加以改造则是节约资金，达到降损节能目的的好途径。     

Rapid Thermal Annealing of Pr~(3 ) and Eu~(3 ) Implanted Silicon

ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇｏｆＰｒ~（３＋）ａｎｄＥｕ~（３＋）ＩｍｐｌａｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎ￥ＬｉｕＳｈｉｘｉａｎｇ；ＳｈｉＷａｎｑｕａｎ；ＬｉｕＸｕｅｊｕｎ（ＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｂｅｉｊｉｎ...     

Nd^3＋：YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究

本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要，将Nd^3＋：YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光退火设备的必要性。     

染料脉冲激光诱导扩散

叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程的机构.     

He-Ne连续激光探针及其基本工作原理

人们曾利用离子束与固体相互作用制造出离子探针做为研究固体表面组分,杂质纵向分布等固体性质的有力手段,同时又利用电子束与固体相互作用制造出电子探针作为研究固体表面性质十分有利的工具。然而人们能否利用光子束,特别是激光束制造出激光探针做为探索固体表面性质的工具呢?为此,人们进行了探索,进行各种激光探针装置的研究。我们利用低能量He-Ne激光束与半导体pn结样品的离子注入层或激光扩散层的物理     

Si~+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响

将高剂量(1×1017/cm2)Si+注入热氧化SiO2薄膜,在～5.0eV(265nm)激光的激发下,观测到2.97eV、2.32eV和1.73eV的三个光致发光(PL)峰,经快速热退火(RTA)处理后,其PL谱峰形发生变化.本文对PL峰的产生与变化机制进行了初步探讨     

变压器的最佳负载系数及经济性分析

变压器损耗是配电网损耗的主要损耗，为此，文章从节能角度，分析了配电变压器的最佳岁载系数及其经济性；提出了３０￣２５０ｋＶＡ配电变压器改造的综合经济效益，改造费用一般在３．５￣４年就可从节能费用中回收，此法不仅具有节能作用，且能延长变压器寿命，值得用电部门推广应用。