排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 8 毫秒
1
1.
本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料,多晶硅电阻条构成惠斯通桥路,二者之间用介质隔离。器件的背面通过对单晶硅的腐蚀制成应力腔。与单晶硅器件相比,这种器件最突出的优点是不用pn结隔离,因而可把工作温限由130℃提高到200℃。通过对多晶硅生长条件及掺杂的控制,可望得到温度系数近似为零的器件。初步实验证明,多晶硅压阻式压力传感器很有应用前景。 相似文献
2.
本文对多晶硅电阻的温度系数进行了研究,随着掺杂浓度的增大,多晶硅电阻的温室系数从负值变到正值。实验结果可用Seto模型进行解释。 相似文献
1