RG——MOSFET的IDS特性分析

以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。     

300K到4.2K下亚微米硅MOSFET的特性

我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。发现500μm的器件在4.2K下的有效迁移率高达25000cm~2/Vs。而0.2μm的器件,由于高电场效应,其迁移率仅仅是800cm~2/Vs。我们画出迁移率随纵向电场的变化曲线,并发现,工作在0.1伏的器件,其弹道传播特性受到高电场的抑制。高电场效应也同样限制了亚微米GaAs FET的弹道传输效应。     

V形槽的腐蚀及其应用

本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。     

一种有前途的MOS器件

本文报导了一种VMOS管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了这种短沟VMOST的阈值电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了VMOS短沟道器件具有高击穿电压高截止频率的优点。并可以用作功率器件。     

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）,其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联,采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时,ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时,器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃,器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．     

Ball-milling-induced polytypic transformation of 6H-SiC→3C-SiC

The results of X-ray diffraction (XRD) and high resolution electron microscopy (HREM) show that ball milling at room temperature can induce the polytypic transformation of 6H-SiC→3C-SiC. HREM study reveals that a large number of partial dislocations which play an important role in the transformation can be introduced into SiC crystals during BM by the instant and repeated collisions between balls and powder. The phase transformation follows the route: 6H= (3~ ,3~-)→(4~ ,2~-)→(5~ , 1~- )→(6~ ,0~- ).     

球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察

ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...