ITO薄膜和新型金属化对双面TOPCon电池电性能的影响研究

使用磁控溅射设备制备ITO薄膜和全面积银电极,该文分析了ITO薄膜沉积速率、方块电阻、电阻率和透射率的变化情况,以确定最佳工艺,再对电池的发射极和n型多晶硅钝化性能进行测试分析。使用最佳工艺在TOPCon半成品电池正面和背面沉积ITO薄膜和银电极,测试、分析其对电性能的影响。研究结果表明,当溅射时间为24 min时,电阻率相对较小,透过率对应值大约为88%和86%。当正面光照IV测试时,TOPCon电池背面沉积ITO薄膜和银电极比常规浆料印刷电极的短路电流、填充因子和转换效率分别高了61 mA、1.6%和0.28%,且全面积金属电极与氧化硅层、衬底及多晶硅层的接触电阻满足要求。     

射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响

通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响.测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅...