金属–半导体–金属结构非极性α-AlGaN深紫外探测器的制备

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)高温外延生长的未掺杂非极性α-AlGaN半导体薄膜,制备了金属–半导体–金属(MSM)结构的深紫外光电探测器,研究了在α-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO_2纳米颗粒对α-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响。结果表明:5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达104,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2~3个数量级,磁控溅射SiO_2纳米颗粒提升了α-AlGaNMSM结构深紫外探测器性能。     

Al化衬底对MOCVD生长AlN的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石衬底上高温外延生长高温Al N外延层,着重研究Al化蓝宝石衬底的时间对样品的结构、形貌和面内应变等产生的影响。采用原位监测系统监测外延生长过程、扫描电子显微镜(SEM)表征样品的表面形貌、X线衍射(XRD)分析样品的晶体质量与残余应变。结果表明:适当的Al化衬底可以使高温Al N外延层表面更加平整,面内应变得到部分释放,但是Al化衬底会引起外延层的结晶质量变差。     

SiO2钝化膜对非极性AlGaN-MSM紫外探测器的影响

采用SiO₂钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高 温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外 延薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO₂钝 化膜对探测器光电性能的提 升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器的暗电流可以降低了2-3个数量级。在5V偏压下 , 通过光谱响应测试发现,经过钝化处理的探测器在300 nm处具有陡峭 的截止边,具有很好 的深紫外特性,光谱响应范围提高了3个数量级,抑制比高达10⁵。