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1.
对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析.比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响.并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺.
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2.
介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高.
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3.
用电子计算技术处理有机试剂的多组分体系已有报导。例如在最小二乘法的基础上,建立了一套程序测定药物中混合组分的方法;用线性规划处理稀土与二甲酚橙等试剂形成的混合络合物,可测得各稀土的分量等。其实多种组分的同时测定已提出很久,用经典的Smith法分析硅酸盐中的钾、钠含量时,
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