SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素

高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关。为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效。该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑。     

防水剂C6与C8的生产实践北大核心

优化了C6防水剂的整理工艺,并从耐洗性、连续性、色变等方面,与C8防水剂进行对比研究。结果表明,TG-5541 30 g/L,交联剂TF-569F 10 g/L 160℃定形90 s,在300T春亚纺、20D300T涤塔夫、65/35涤棉三种面料上,防水效果和其他性能基本上达到C8防水剂的水平。     

非离子抗静电剂TF-480的应用

研究比较了非离子抗静电剂TF-480与传统阳离子抗静电剂SN的抗静电效果，及其对织物颜色、白度、剥色性、手感、色牢度的影响。在与防水剂、固色剂、柔软剂、增白剂的复配中，发现TF-480具有优异的配伍性，可与它们同浴浸轧处理。     

荧光增白剂CPS-A在涤纶织物上的应用

采用荧光增白剂CPS-A对涤纶织物进行增白处理,测试荧光增白剂CPS-A在涤纶织物上的牢度与耐黄变性,研究还原法和氧化法对涤纶增白织物的剥色效果。结果表明,荧光增白剂CPS-A的最佳增白工艺:荧光增白剂CPS-A质量分数0.2%~0.6%(omf),染浴pH值偏中性,浸染温度98~130℃时,定形温度170~190℃;增白的涤纶织物具有较高的色牢度和耐黄变性;涤纶增白织物的回修剥色选择氧化法,如荧光剥除剂TF-900。     

织品酚黄变影响因素分析及改善方案探讨

纺织品在贮存过程中,由于包装材料(含BHT)与含氮氧化物反应,产生酚黄变,在柔软整理过程中,柔软剂中因含氨类物质而引起织物酚黄变,不同类型柔软剂影响织物酚黄变等级,影响纺织品使用性能。文中探讨了柔软整理剂、抗酚黄变剂种类和用量、p H值及整理工艺对锦氨混纺织物酚黄变的影响,测定并分析了酚黄变等级和手感。结果表明:选用低氨类、离子性弱的柔软剂与抗酚黄变剂TF-6237C复配整理剂对织物进行整理,当抗酚黄变剂TF-6237C的用量为5~10 g/L、硅油柔软剂为20 g/L、p H值为5~7时,酚黄变级数为4.5~5.0级,蓬松性及手感较好,既能有效改善酚黄变效果,又能保证柔软剂手感以及稳定性。