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报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的Ka波段全微带GaAs Gunn振荡器。在33GHz下,输出功率高达170mW,频率稳定度为9.7ppm/℃。 相似文献
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<正>一种高Q介质稳频6mm GaAs Gunn振荡器及微带一波导转换器已经研制成功。使用管壳转换阻抗与GaAs Gunn器件的最佳阻抗相结合方法进行优化设计。初步实验结果为:在42.7GHz下,输出功率高达71 mW。该振荡器具有较好的电性能及可靠性,有良好的应用前景。 相似文献
3.
<正>微带振荡器采用封装耿氏器件,装配在26×4.1mm的Duroid介质上(ε_r=2.22,原度为0.254mm),同时考虑了封装电感、电容在毫米波频率下的影响,使用转换负载阻抗进行优化设计,制成了8mm微带振荡器及微带—波导转换器.初步实验结果为:在34.4GHz下,输出功率可达165mW.该振荡器具有较好的电性能及可靠性,具有应用前景. 相似文献
4.
秦洪桂 《固体电子学研究与进展》1984,(1)
<正> 南京固体器件研究所研制成的八毫米单调谐体效应管振荡器采用Kurkawa提出的传输腔稳频电路,由一个TE_(011)模式的高Q腔进行稳频,以满足微波通讯设备对噪声及频率稳定度的要求。 振荡器中的体效应二极管安装在同轴线的末端,同轴线的另一端接由羧基铁制成的吸收体,同轴线的中段与高Q腔耦合,高Q腔通过小圆孔同外负载耦合。 为了改善振荡器的频温系数,除了选择频温系数小的体效应二极管外,主要途径是提高谐振腔的Q值(这对降低调频噪声也是有益的),另外应选择低膨胀系数的金属材料制作腔体。 该振荡器经过一年时间的研制,获得了良好的性能。其特点是受负载影响小,无跳模问 相似文献
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