VDMOS用n^—／n^＋高阻厚层外延

本文介绍了高压功率VDMOS器件对外延层的要求;讨论了n~-/n~+高阻厚层外延的工艺难点及解决办法。研制的n~-/n~+高阻厚层外延片已成功地运用于产品开发中,并取得了可喜的结果。     

基于LTCC技术的椭圆函数低通滤波器设计

随着无线通信领域的快速发展,人们对微波滤波器性能的要求也越来越高。文章根据滤波器的分类和特点,研究了集总元件滤波器引入传输零点的规律和方法,分析并对比了三种不同类型低通滤波器的衰减特性。根据设计指标要求,基于LTCC技术设计了一款高性能小型化的椭圆函数七阶低通滤波器。滤波器的等效电路包括串联支路中的4个电感和并联支路中的3个LC谐振腔,共10个元件。通过对滤波器模型物理结构的优化,减小了滤波器内部元件间的寄生耦合效应,并在阻带中成功引入了传输零点,改善了滤波器的性能。     

基于LTCC技术的无源器件设计方法

作为一种新型的集成封装技术,低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性,小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术,其产品在封装和小型化方面具有明显优势;LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势,以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。     

基于LTCC技术的小型化MarchandBalun设计

在对巴伦的基本原理和耦合传输线奇偶模阻抗特性研究的基础上,基于LTCC技术设计了中心频率为1．35GHz的小型化MarchandBalun。设计中使用宽边耦合带状线来实现MarchandBalun内部的耦合区段。仿真结果表明,MarchandBalun的中心频率为1．35GHz,S11为．31．39dB;带内插入损耗在-0．55～1．12dB之间,满足设计指标的要求。