第二届半绝缘Ⅲ-V族材料会议简介

<正>自1980年在英国召开首届半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料会议以来,研制适用于GaAs FET和IC的材料已取得很大的进展.半绝缘单晶材料的生长,尤其是非掺杂高纯热稳定的半绝缘GaAs单晶材料的制备引起人们的极大注意.为改善器件性能,提高成品率,并向GaAs IC商品     

短周期AlGaAs/GaAs超晶格的MOCVD生长及X射线衍射研究

生长了短周期 Al Ga As/ Ga As超晶格 ,并通过双晶 X射线衍射谱 ,对 MOCVD超薄层Al Ga As、Ga As的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及 Pendellosong干涉条纹的出现 ,定性地对晶格结构及界面作出评价。 X光衍射测量结果与 HEMT结构电学性能测试结果有较好的对应关系。     

一种获得低补偿比GaAs外延材料新技术

<正>众所周知,GaAs汽相外延中,衬底中的补偿杂质以自掺杂和外扩散的形式进入外延层,引起外延材料的补偿.近年来,从补偿比来研究掺杂GaAs的行为渐渐地受到了重视.我们采用一种新技术生长了具有低补偿比的GaAs外延材料.实验是在AsCl_3/H_2/Ga体系和立式炉中进行.衬底是<100>取向的掺Cr半绝缘GaAs单晶,在同样条件下,采用新技术和普通工艺两种方法生长的外延材料,其结果是,新技术的室温μ_H略高于普通法,而77°K的μ_H却有明显的提高.根据迁移率的结果分析来确定外延层中杂质的补偿比N_A/N_D,结果表明,新技术生长的外延材料,其杂质补偿比,比通常方法生长的要低,较好的结果是<0.2.     

利用“背液封”法制备具有低补偿度的GaAs外延材料

众所周知,在汽相外延过程中,来自掺Cr-GaAs单晶衬底的补偿杂质以自掺杂和外扩散的形式进入外延层,造成外延材料的补偿.随着FET器件的发展,近年来,从补偿度来研究材料特性渐渐受到重视.本文介绍了一种“背液封”技术,避免衬底杂质的外扩散,制备具有低补偿度的GaAs外延材料.     

重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究

采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓度。通过改变 CCl4 流量 ,在生长温度为5 5 0～ 6 5 0℃、 / 比为 15～ 4 0 ,生长压力在 1× 10 4 ～ 4× 10 4 Pa的范围内 ,均能得到高于 2× 10 19/cm3 的掺碳 Ga As外延层 ,最高掺杂浓度为 8× 10 19/ cm3     

φ50mm多层GaAs气相外延技术

介绍了自行设计制造的φ50～76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。