分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

单晶硅太阳能电池的背场钝化技术研究

太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径,而高转换效率低成本,易于产业化的高效电池技术是太阳电池发展的目标。近年来高转换效率技术层出不穷,例如SE电池(Selective emitter Cell),MWT电池(Metal warp through cell)和EWT电池(Emitter Warp through cell)等。这些高效电池均采用了良好的钝化技术。而常规晶硅太阳电池由于没有采用背场钝化技术,只使用铝背场,而经过烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合和背反射效果方面有很大的局限性,并且铝硅合金区本身即高复合区,限制了电池效率的进一步提高。因此为了进一步提高开路电压及短路电流,对硅基背表面进行钝化是很有必要的。通过试验,着重比较了SiNx背场钝化层和SiO2背场钝化层对电池电性参数的影响和变化趋势。通过对电池片IQE分析发现,在使用了SiO2或SiNx背场钝化层后,长波区域的IQE响应相比正常电池片有明显提升,说明SiO2或SiNx确实起到钝化作用。而再对电性参数分析后发现,SiO2与SiNx相比可以有效提高电池的Rsh,降低反向电流。同时在EFF测试方面,SiO2与SiNx相比,也具有一定的优势。     

酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈.采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构.酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良.分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率.结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVD SiNx减反射膜后反射率大大下降.     

Cd_（1－x）Mn_xTe／CdTe多量子阱的光反射研究

本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＧｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ．１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ．当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好．发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ１－ｘＭａｘＴｅ混晶体材料的温度系数作了比较．     

Cd1—xMnxTe／CdTe多量子阱的光反射研究

本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＣｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ，１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ。当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好。发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ     

ITO/PZT-Ag2O/Pt铁电薄膜的光伏特性

研究了在透明导电ITO玻璃衬底上制备PZT-Ag2O铁电薄膜的工艺条件,并测量和表征了在不同衬底温度下生长的薄膜的相结构、表面形貌、铁电性能和光电特性。结果表明:在ITO玻璃衬底上可制备出铁电性能较好的PZT-Ag2O铁电薄膜;ITO/PZT-Ag2O/Pt铁电器件实现了可见光响应,其短路光电流和开路电压随极化电压的变化呈回线关系;产生这一现象的物理机制为:光生短路电流和开路电压的大小取决于退极化场和界面肖特基势垒的综合作用,不同的外加极化电压在PZT薄膜诱导出强度不同的退极化场,从而使光生短路电流和开路电压与外加极化电压呈回线型关系。     

双单量子阱材料的调制光谱研究

本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。