CdTe晶体的电学特性

CdTe晶体可用于制造太阳能电池、粒子探测器,又是外延HgCdTe的良好衬底,因此对它的研究是很有意义的。本文简要叙述了我们对CdTe晶体所做的电学特性测量及结果,它们在一定程度上反映了CdTe晶体的质量。实验所用的晶片来自五个晶锭。它们都是刚刚生长好的P型材料,未曾进行过特殊热     

由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性

本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_(1-x)CdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.     

Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管反向漏电机制分析

分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落等都可能产生过量隧道电流。用一些理论模型对实验数据进行了拟合和比较。对于我们的离子注入N~+-P结,P型材料的高补偿度可能是导致漏电的主要原因。     

用电子束感生电压方法研究碲镉汞光二极管

本文报道用电子束感生电压方法观察碲镉汞光二极管光敏区响应分布,直接显示p-n结耗尽区位置的实验结果。在p型碲镉汞上制成了肖特基势垒二极管。用它测量了碲镉汞的少数载流子扩散长度。     

PbS红外探测器的光电特性

PbS光电探测器响应率高,制作工艺相对简单,能在室温工作,直到现在还一直被广泛使用着。PbS的光电特性在相当程度上决定了探测器的最终性能,因此研究它的光电特性是必要的。本文简单叙述我们对PbS探测器所做的实验测量及结果。电导与温度关系。对1~#～8~#共8个样品测量了暗电导-温度关系以及在300K背景辐     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件G-V特性

基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件,当温度T<130K时,占优势的暗电流机制是通过禁带态的间接隧道电流;而当T>130K时则是耗尽区的产生-复合电流.在低温区,从价带到禁带态的电子热激发限制了间接隧道电流,根据R_0A对温度的依赖关系推算出禁带态位置约在价带顶上面50meV处.在P型样品中,反型层量子化效应强烈地影响少子暗电流的大小.     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究

MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性

测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2～0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20～10MHz)和变温(T=26～200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8～10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4～10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7～2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。