石英上准纵漏表面声波在液体传感方面的潜在应用

本文报道了石英材料上一种新的可用于液体传感的准纵漏声表面波模式的传播方向 ,即 Euler角为 [0°,136°,5 0°]的传播方向 ,并对该传播方向上准纵漏声表面波在液体传感方面的应用进行了初步研究 .结果表明 :与目前常用液体声表面波传感器所用声波模式所在传播方向相比较 ,这种新的传播方向上存在较少的声表面波模式 ,当应用于液体传感时只有准纵漏声表面波一种模式存在 .特别是 ,该传播方向上准纵漏声表面波频率温度系数实验测量值为 - 31.13ppm/℃ .这些特性使得本文所提传播方向上准纵漏声表面波具有很好的应用前景 .     

新型声表面波湿度传感器的研究

乐甫(Love)波其质点振动方向垂直于传播方向,同时又平行于基片表面,在基片法线方向上无振动分量。因此当基于Love波的电子器件在接触液体时Love波能量损耗很少,因而乐甫波声表面波(SAW)传感器主要用于液相检测。在石英上表面及在其上面淀积的SiO2薄膜中激发、传播的乐甫波对SiO2薄膜质量的变化很敏感,因此该文研究了基于乐甫波的湿度传感器感知气体环境的湿度含量。该文乐甫波湿度传感器采用42.75°Y-旋转切割石英基片,传播方向为[0°,132.75°,90°]。吸湿膜采用APCVD制作的多孔SiO2薄膜,此类膜比PECVD制作的SiO2膜疏松,吸湿、脱湿迅速。传感器灵敏度为62kHz/%RH,最大湿滞约3%,测得的湿敏特性、迟滞特性表明,Love波SAW湿度传感器线性度较好,实验验证了该结构具有很好的气体测试前景。     

基于LiCl湿敏涂层的QCM湿度传感特性的研究

对0.2%质量比LiCl薄膜涂层的QCM湿度传感单元湿敏特性进行了系统性的研究。研究结果表明:0.2%质量比LiCl—QCM的湿度传感单元的线性测量范围为13%～94%RH,克服了常规LiCl湿敏材料传感单元量程窄的缺点。另外,此湿度传感单元还具有重复性好、灵敏度高、湿滞小(小于10 Hz)、数字频率化输出等优点,因而,具有较好的潜在应用前景。     

声表面波器件的封装技术及其发展

目前各种声表面波器件的工作频率涵盖30MHz到3000MHz的频率范围,其封装形式主要有塑料封装、金属封装(如F11、TO-39)和sMD封装。在本文中,作者对声表面波器件的这三种主要封装形式对声表面波器件电传输性的影响作了系统的实验研究与分析,并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势。     

声表面波纵向耦合谐振滤波器通带特性研究

在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895 MHz,1 dB带宽40.5 MHz,阻带抑制达到47 dB,插入损耗3.8 dB,通带波纹小于0.9 dB。实验与理论分析比较一致。     

新型抗腐蚀结构声表面波湿度传感器的研究

为解决声表面波(SAW)湿度传感器存在易被污染、不易清洁、稳定性差等问题,提出了一种新的基于改进的单端口SAW谐振器结构用于湿度检测。在此结构中,在ITO材料制作的叉指换能器和反射阵上溅射厚度为5pm Si3N4层以屏蔽各种腐蚀性物质如酸性、碱性等腐蚀性气体对SAW谐振器电极的侵蚀。相比常规谐振器,新结构加大了谐振器叉指换能器与一个反射阵之间距用于涂敷湿敏材料,同时在石英基片背面布设ITO材料脱湿电路。给出了基于此类结构SAW湿度传感器的制作工艺、感湿实验测试结果。实验验证了该结构SAW湿度传感器的可清洁性、耐腐蚀性及该结构的有效性。     

新型声表面波湿度传感器

为解决目前常用电容式湿度传感器存在的误差较大和一致性较差的问题,提出了采用常压化学气相淀积(APCVD)法制备的多孔SiO2膜作为吸湿材料的乐甫波声表面波(SAW)传感器感知湿度。基片采用42.75°旋转Y轴切割石英材料,乐甫波传播方向为[0°,132.75°,90°],SiO2湿敏膜厚度为0.5μm。实验结果表明:此湿度传感器灵敏度约为62 kHz/RH%,在相对湿度为50%时,最大湿滞约3%。测得的湿敏特性和迟滞特性表明,乐甫波声表面波湿度传感器线性度较好,实验证实该湿度传感器具有很好的应用前景。     

“集成电路工艺原理”课程教学实践环节的探索

针对学校大型实验设备不足的现状,探索了"集成电路工艺原理"课程的实践教学手段和方法。长期教学实践活动表明,开设重点实验和采用工艺模拟软件等教学手段能有效地达到提高学生综合实践能力的教学目的,更有利于学生就业和进一步深造。     

横向耦合谐振滤波器寄生模式抑制的研究

该文应用耦合模理论,重点研究了几个关键因素对横向耦合谐振滤波器高次模式对应旁瓣相对于主通带相对衰减量的影响.这几个关键因素包括相对膜厚、反射栅与换能器周期比、换能器间汇流条宽度等.研究表明,该文在设计频率为159.2 MHz的横向耦合谐振滤波器时,对高次模式引起的旁瓣作了抑制处理,该文给出了此滤波器的计算模拟结果和实验测试数据.实验器件匹配后具有高阻带抑制(通带外抑制达50 dB)、低插损(2.9 dB)和平坦的通带(通带波纹小于0.3 dB),1 dB带宽为130 kHz.