砷化镓功率场效应晶体管的X波段性能

本文介绍 X 波段砷化镓功率场效应晶体管(FET)的测量结果。这些器件是用简单的平面工艺制作的。多个单元并联的器件在9千兆赫下,输出功率大于1瓦,增益大于4分贝。4分贝增益下,最大输出功率在9千兆赫下为1.78瓦,在8千兆赫下为2.5瓦。8千兆赫下,器件功率附加效率为46%。     

中功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管

固体微波器件研究的最新和最重要的进展之一是研制出了中功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMESFET)。RCA 的研究工作已确认此种器件可用做中功率的放大器和振荡器。我们已做出9千兆赫下,输出功率高达1瓦,功率附加效率η=(P_(out)-P_(in))/P_(dc)为16%(线性增益为5.5分贝)的单元器件。4千兆赫下功率附加效率高达35%,9千兆赫下为21%的器件已经实现。另外,也研制出9.15千兆赫下输出功率     

砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向

本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。     

九十年代世界光纤光缆产业形势及我国发展对策

一、发展机遇和任务 光纤通信已成为目前世界信息传输的主要手段,预计到2000年,信息传输网上90％以上的业务量将由光纤通信完成。从目前形势看,国内外光纤通信产业都面临着大发展的好时机,这是一至两代人难得的机遇。这一机遇表现在: 1.1988年9月国家计委决定今后国家通信网长途干线不再敷设新的同轴电缆而采用光缆,这使刚刚结束的“八五”成为我国通信史上技术发展最全面、通信能力增长最快的阶段。从“六五”到“八五”我国敷设光纤用量以每五年一个数量     

用十字形模型解析静电感应晶体管的工作机理

为了阐明静电感应晶体管静态特性与有源区杂质浓度的关系,提出了十字线形结构模型,所谓十字线形模型是把静电感应晶体管中最本质的东西,即源到漏的电流通路和由栅极引起的势垒之间呈十字线形结构。使用该模型,可以分别求出电流-电压特性,其计算结果可以对实验数值进行定性的说明,并求出了晶体管三个参数与杂质浓度的关系。用此模型得到的结果是:漏极微分电阻与外延层厚度的平方成正比,实验结果是与1.5次方成正比。另外,明确了由自建电位使沟道正好处于夹断状态时,跨导与杂质浓度的平方根成正比,这一点在实验上也得到了证明。     

功率V型场效应晶体管介绍

一、前言在音频放大器爱好者中间,电子三极管放大器还是颇受欢迎的,想要重新估价电子管的音质、音色的人也正在多起来。重新估价电子三极管时,在特性方面,它具有失真小,输入阻抗高,输出阻抗低等优点。在放大器的设计和提高放大器性能等方面,它具备了许多好的特性。但对电子管而言,它又有不少缺点。从其外形和构造上来看,体积大且易损坏;管内有灯丝,这一点是很讨厌的;另外,还有寿命短,容易产生交流声等问题。目前的晶体管放大器,使用的是NPN和PNP晶体管,在其电路结构上,全段直耦式纯互补电路还是很罕见的。不过,在双极晶体管中,存在着自由电荷积累效应引起的切割失真等固有的问题,它们会成为高次谐波失真的原因。     

行波场效应晶体管

场效应晶体管与双极晶体管相比,因其输入电阻很高,而且是多数载流子传输器件,所以具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。但是,目前的场效应管,由于其输入、输出电容很大,截止频率较低,显示不出高输入阻抗的优点。一般,它的跨导g_m也比较小。为提高跨导g_m,则不可避免地要造成输入电容的增大。但如果把场效应管装成定K型电路或m型推演式电路,则输入、输出电容大和跨导g_m小的缺点可较容易地得到解决。这样,在场效应管本身的设计上就会自由得多,此外,由于电路比较简单,也有利于实现集成化。本文首先介绍行波场效应管电路的设计理论,并证明它与实验结果符合的较好。接着,应用此种理论,以场效应管的结构参数和材料参数为参量,在设计上,为得到尽可能高的频率上限和必要的电压增益,以偏压为函数,求出所需场效应管的最少个数。最后,简单介绍一下把上述电路集成化时的电路结构。     

微波功率砷化镓场效应晶体管

本文介绍 X 波段 GaAs 功率 FET 的设计考虑、工艺特点和电特性。采用53条梳状源、52条漏和1条连接104条平行的肖特基栅的复盖栅来实现栅长1.5微米、栅宽5200微米的 FFT。研究成功了一种面接地技术,以便把共源引线电感减到最小(L_s=50微微法)。研制出的器件在10千兆赫下给出0.7瓦,8千兆赫下给出1.6瓦的饱和输出功率。在6千兆赫下,1分贝增益压缩时,线性增益为7分贝,输出功率为0.85瓦,并得到30%的功率附加效率。在6.2千兆赫下,三次互调制分量的截距为37.5分明亳瓦。