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随着我国经济水平的不断发展社会持续稳定地进步,我国对于水利工程的需求也越来越高。而在水利工程的建设之中,工程地基的施工质量成为影响整个工程稳定性以及安全性的一个至关重要的因素。在水利工程的施工建设之中,水泥搅拌桩是最为常用的基础形式,由于其具有应用广泛的特点,且在水利工程的施工建设中是以隐蔽工程的形式而存在,所以如何加强水利工程水泥搅拌桩的施工质量,从而加强基础的稳定性就成为了文章将重点探讨的问题。 相似文献
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南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。 相似文献
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近年来,由于商品混凝土有利于保证工程质量和减少施工噪声及粉尘污染,国家逐步强制使用商品混凝土。但在使用过程中也出现了一些问题,其中最突出的是混凝土裂缝增多,而且一些以前基本上不会出现裂缝的部住、方向也出现了裂缝。结合商品混凝土在工程应用实际,对泵送商品混凝土施工温度裂缝的原因进行了分析,从控制温度、改善约束条件等方面,提出了施工中温度应力裂缝的防治措施。 相似文献
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采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发生重构,晶粒合并,位错和层错缺陷减少,晶格排列整齐,晶体质量得到提升。通过优化生长温度和退火温度,获得了高质量的200 nm厚AlN模板,其(002)和(102)面的X射线双晶衍射摇摆曲线半高宽分别为107 arcsec和257 arcsec,位错密度比退火前降低了2~3个数量级。 相似文献
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采用MOCVD技术在101.6 mm(4英寸)正晶向半绝缘C面SiC衬底上生长了厚度为1μm的GaN缓冲层。通过深入研究不同AlN成核层上生长的GaN缓冲层的性质,揭示了正晶向SiC衬底上氮极性GaN的生长机制,发现成核层表面AlN岛的密度是决定缓冲层表面形貌的重要参数,对后续GaN的成核以及GaN岛间的合并具有显著影响。通过在AlN成核层外延期间引入N2作为载气并且以脉冲方式供应铝源,研制的成核层表面成核岛尺寸小且致密性高,有利于促进GaN成核岛之间的横向合并,并抑制GaN缓冲层的岛状生长模式,从而获得了表面光滑的N极性GaN薄膜材料,原子力显微镜20μm×20μm扫描范围下的均方根(rms)粗糙度值为1.5 nm。此外,在表面平滑的GaN薄膜上生长的GaN/AlGaN异质结的电子输运特性也同步得到提升,这有利于N极性GaN材料的微波应用。 相似文献
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在水利工程设计、施工中,时常会碰到软弱地基问题,下面就根据自己的一些工作实践经验,结合在梅州市梅州大堤东堤工程淤泥质软土地基处理和芹黄泵站机房基础中的应用情况,浅谈软弱地基如何处理。 相似文献
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