一种D波段平行微带线90°相位反相器

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差。通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的 －20 dB带宽为116~218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S₁₁可以达到－65 dB;插入损耗S21的－1 dB带宽为80~220 GHz,在155 GHz工作频率处S₂₁可以达到－0.47 dB;±5°相位误差带宽为150~163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用。     

150 GHz低损耗Lange耦合器的设计

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150 GHz的低损耗Lange耦合器。使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50 Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插入损耗,在耦合器对应的地面打孔形成地面隔离带,有效降低了插入损耗。仿真结果表明,耦合器在中心频率150 GHz处,带宽20 GHz范围内的耦合度为3.5 dB,插入损耗小于0.6 dB,回波损耗与隔离度均小于-20 dB,相位误差在2°之内,耦合输出与直通输出幅值误差在0.1 dB以下。该Lange耦合器在D波段功率放大器、混频器、移相器等电路中有很好的应用前景。     

一种应用于超宽带（UWB）的CMOS五次微分高斯脉冲发生器

A CMOS fifth-derivative Gaussian pulse generator is presented for ultra-wideband （UWB） applications. The design exhibits low power consumption, low circuit complexity, and a precise pulse shape to inherently comply with the FCC spectrum mask for indoor UWB applications without the need for a filter. The pulse generator is implemented with a 1.8-V, 0.18-μm CMOS process. The small core chip size of the pulse generator is only 217 ×121 #m2 because of its all digital circuit design. The measured fifth-derivative Gaussian pulse has a peak-to-peak amplitude of 158 mV and a pulse width of 800 ps. The average power dissipation is 0.6 mW with a pulse repetition frequency of 50 MHz.     

一种用于E1接口的全数字锁相环

提出了一种从E1信号中提取时钟的全数字锁相环。该锁相环结构简单、易于实现、可靠性高,提取的时钟信号的抖动和漂移均满足ITU-T G.823的要求。建立了相位传递数学模型,对电路的原理进行了分析。对该锁相环进行了实验验证,结果表明,在满足ITU-T相关建议的情况下,该电路完全可以从E1信号中提取时钟。