快脉冲前沿SAS整形器的优化设计

通过硅雪崩整形器件(SAS)的过压雪崩击穿效应对纳秒级脉冲前沿进行快速切割产生亚纳秒级脉冲前沿,是高重频快前沿DSRD脉冲源的关键技术。分析了SAS器件的工作原理,热损耗以及同轴型SAS整形器的优缺点,提出采用平面结构以实现SAS整形器大规模工程化应用的方案。计算和仿真结果表明,平面型SAS整形器在工作重频低于75kHz的应用中能够完全取代同轴型SAS整形器。     

4H-SiC光导开关性能的仿真研究

碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用Silvaco TCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编的载流子迁移率接口程序,对4H-SiC光导开关的光学电学特性进行模拟仿真。单脉冲响应的仿真结果表明,器件在瞬态条件下的峰值光电流随光能的变化与文献中的实验数据相符合,表明所用模型和参数具有合理性。对影响单脉冲响应的主要因素,包括脉冲能量、脉冲宽度、碳化硅厚度,进行了计算和分析。同时,针对两种碳化硅厚度的器件,进行了多脉冲串响应的计算和分析。文章得到的结果和结论对碳化硅光导开关的进一步研究具有较好的参考价值。