一种适合半导体低温工艺利用光能制造薄膜的新技术

本文介绍了一种利用光能进行薄膜制造、加工的新技术。为了满足降低半导体制速工艺中处理温度的要求,除了用热能(温度)外,还可以采用光能来制造薄膜。文中给出了用紫外激光照射Al(CH_3)_3来淀积Al、用在200℃下的紫外线照射SiH_4和N_2O混合气体制造优质SiO_2膜的实例。若用卤化物作反应介质,还可以进行腐蚀;用掺杂氧化物可以掺杂。目前以美国为主,已着手开展这方面的研究。     

硅化钽/多晶硅双层膜结构中磷的外扩散

在硅化钽/掺磷硅双层膜中,硅的电阻率能随着高温退火过程急剧增长,其增长大小取决于硅膜的晶粒间界及退火气氛,与界面反应或界面扩散的程度以及和所用硅化物的类型无关。用二次离子质谱分析证实,硅中磷含量的减少是由于磷的外扩散所致。     

英特尔公司研制的51C256型/51C259型256k DRAM

引言 近年来,动态随机存取存贮器(DRAM)的用途发生了急骤地变化,而且,需求量也在不断增加。大部分DRAM在微型计算机闻世之前,主要用于主帧计算机,而在这个领域中,由于DRAM的低功耗、高密度、低成本等优点,克服了使用困难这一缺点。系统设计工作者根据这几方面的因素,在     

薄层衬底MOS电极的高频电容特性

本文研究了具有极薄(<0.4μm)半导体衬底的MOS电极的高频下的微分电容特性,推导了电场、微分空间电荷电容以及栅电压的模型方程,并给出了极值求解。由电容-电压特性看出,耗尽层的形成受到衬底厚度的限制;少数载流子在形成耗尽层所对应的电势区方面是无贡献的。并发现在一定范围的栅压值上可同时存在反型层和耗尽层,这一结论在电化学系统中MOS电极的实际应用情况下是相对掺杂程度,氧化层和衬底厚度而言的。     

在氧氮化物栅介质中的辐射效应

本文介绍了氧氮化物SiO_xN_r中的辐射效应。这种氧氮化物薄膜由热生长SiO_2层在1000℃氨-氮气氛中氮化处理形成,其特点具有高的原始正电荷陷阱密度(3-6×10~(11)电荷/cm~2)和低的界面态电荷密度(2-4×10~(10)态/eV/cm~2)。采用俄歇光谱分析薄膜的化学成份指出,在整个氧氮化物薄层内部都有氮的分布,其中在界面附近分布的浓度较高,没有发现可动离子污染或在高电场下有电荷注入现象。在辐射剂低于1×10~6拉德(Si)的场合下,这种氮氧化物的辐射灵敏度比热氧化物改善2-3倍,并且也不增加界面态密度。最后讨论了一种为满足界面附近的正电荷俘获的掺杂方法。