PVInSb红外探测器的阻抗——频率特性分析

通过理论计算和实际测试，给出了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的低频阻抗－频率特性曲线，结合检测阻抗／动态电阻的方法和阻抗－频率特性曲线的变化规律，分析讨论了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗与动态电阻的异同，从而说明在涉及ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗／动态电阻时，即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。     

PV型HgcdTe,InSb红外探测器零偏点动态电阻检测方法

本文提供一种利用运算放大器来检测PV型红外探测器动态电阻的方法。给出了原理电路方框图和计算公式以及适当的讨论。     

PV—InSb红外探测器工作温度的实验研究

在－１９６℃到－９６℃范围测量了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的信号，噪声和阻抗数据。给出了信号，噪声，信－噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时，选择ＰＶ－ＩｎＳｂ红外探测器工作温度的有关问题。