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据有关人士分析,我国产品质量总体水平约落后发达国家10~15年,产品质量差,产销率低,工序受控差,产生大量废品、次品、返修品,给我国造成相当大的损失。据我国国家产品质量监督抽查的统计数字表明,从1985年第三季度至 1991年,我国产品质量水平不断提高,但近三年产品质量呈下降趋势,1992~1993年产品合格率为70%,1994年为69.8%,1995年一季度为65.9%。国家技术监督局局长李传卿说:“抽查合 相似文献
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1市场 世界普遍认为,2006年全球半导体市场将比2005年好,大多数市场调查公司预测,2006年全球半导体市场将有一位数字以上的增长,见表1。SIA与WSTS对2006年全球半导体市场的预测基本相同,2006年全球半导体市场将达2450—2455亿美元,增长率7.9%-8.0%。而Semieo对2006年全球半导体市场充满信心,持乐观态度。他们认为,随着芯片库存和IC平均销售价(ASP)趋于稳定,Semieo拐点指数(Inflection Point Indicator,IPI)一路走高, 相似文献
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据中国消费者协会1997年二季度对全国30个省市消费者协会的统计,家电类产品的投诉达2.6738万件,占总投诉的15.3%,其中电视机为8643件,占家电的32.3%。电视机爆炸起火25件,如贵州六盘水市向某1993年购买的彩电于1997年5月15曰突然冒烟起火,造成经济损失近6000元;劣质电器14件,造成伤2人,死1人。又据江苏省消费者协会统计,家电类产品成为1997年二季度投诉热点,投诉比1996年同期上升29%。存在的主要问题是:①部分产品存在质量安全隐患,如常州吴某1992年购买的21英寸彩电于1997年5月突然起火,造成4万多元的家庭财产损失;②名牌产品也有缺陷,如朱某在使用某名牌洗衣机一年多后,发现体内严重霉变,致使清洗后的衣物表面残留点点霉斑;③经营者执行“三包”各取所需,采用对自己有利的条款来塘塞消费者。 相似文献
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NEC在研发55nmCMOS工艺技术中采用如下关键工艺:1.193nmArF浸润式光刻技术;2.高k介电质—HfSiON,实现高载流子迁移率,实际氧化膜厚度1.85nm;3.利用栅电极的工作函数来控制阈值电压,改变过去利用通道部门的杂质浓度来控制阈值电压。与65nmMOSFET相比,55nmMOSFET导通电流有大幅度提高,见表1。表1nMOS导通电流PMOS导通电流与65nmMOSFET相比提高22%提高31%1.2V,截止电流20pA/μm下525μA/μm295μA/μm截止电流3nA/μm下780μΑ/μm400μΑ/μm NEC采用55nmCMOS工艺研制55nmSRAM,存储单元面积0.432μm2,其SNM(静态噪音容… 相似文献
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IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片速度。他们将基于Si的芯片,通过将电路“冰冻”在零下451°C下,使电路在500GHz以上频率工作,比当今手机通常2GHz频率快250倍。该研究项目的宗旨是探索SiGe器件终极速度。超高频SiGe电路在商用通信系统、军用电子、宇宙和遥感领域有潜在应用。人们期望推出新型功能强大、低功耗芯片,其应用是让HDTV和电影质量的视频传送到手机、汽车和其他设备上。SiGe芯片来自IBM200mm晶圆厂制造的第4代SiGe原型,在室温下,SiGe电路工作频率350GHz。冰冻芯片能提高Si芯片的速度@羽冬… 相似文献