硅材料基本物理参数的高温模型与计算

介绍了硅材料本征载流子浓度ｎｉ、禁带宽度Ｅｇ、电子和空穴有效质量和及载流子迁移率μ的高温模型和计算结果。其中ｎｉ、Ｅｇ和、模型分别适用于３００～１２００Ｋ和３００～７００Ｋ，μ的模型在２５０～５００Ｋ定温区及１０１３～１０２０ｃｍ－３杂质浓度范围内，最大误差小于１３％。     

MOS器件的最高工作温度及潜力开拓

本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。     

宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟

本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而且模拟和结果基本相符。     

SOI材料MOS器件高温特性的模拟

本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５３７Ｋ条件下的模拟结果，并进行了理论分析和验证。