基于LVDS技术的高速数据传输系统设计

串行传输技术具有更高的传输速率和更低的设计成本,被广泛应用于高速通信领域;研究了一种基于FPGA的LVDS高速数据传输系统方案,该方案以Altera FPGA芯片为核心,通过其LVDS I/O口稳定可靠地完成数据传输,系统采用Verilog语言完成8B/10B编解码、时钟数据恢复、CRC校验、字节边界调整、误码率测试模块等;通过实验表明,该方案既满足了长距离和高速数据传输的要求,又降低了系统成本。     

基于单个CCⅡ＋的通用二阶电流模式滤波器

提出了用单CCⅡ＋实现电流模式双二阶滤波器，采用三输入单输出（TISO）结构，滤波器的有源部分用低电源、低功耗的CMOSCCⅡ＋实现。所得的电流模式二阶滤波器具有结构简单，能实现单输出低通、带通、高通电流模式滤波，不仅所有无源和有源灵敏度都很低，而且当无源参数确定后，有源参数α、β对极点频率ω。不产生任何影响，ω0保持恒定。电路的整体功耗不超过80μW。文章给出了MOS管级的CCⅡ＋实现电路和相应的TSPICE仿真结果。     

16位稳态电流LED驱动器的ASIC设计

提出了一种大电流16位稳态电流LED驱动器的ASIC设计方案,并描述了芯片的主要功能原理。对各个模块的主要电路进行了分析和设计,数字部分电路依靠成熟的FPGA平台验证,最大程度提高了电路可靠性;模拟部分电路通过分析和计算,确定不同参数,最后对整个方案进行了仿真。这种16位稳态电流LED驱动芯片可以完成对点阵LED显示屏的驱动,芯片外围电路简单、成本低、可靠性高。该芯片也适用于点阵LED屏等LED设备的驱动,应用十分广泛。芯片方案的各个部分都给出了详细的仿真结果,整个方案最后通过了T-Spice后仿真。     

LED驱动控制芯片的ASIC研究与设计

ASIC设计是近年来微电子技术领域的又一场革命，已经渗透到人们生活的各个领域。针对ASIC技术的不断发展与进步，用Quartus Ⅱ开发软件，实现一种LED驱动控制专用集成电路的前端设计。整个设计采用“自顶向下”的设计过程，首先进行行为级设计及功能验证和仿真，然后手工综合成门级电路，并将设计的门级电路进行逻辑验证和仿真。通过对整个系统的仿真与验证，该电路具有功耗低、可靠性高、集成度高的特点，可以应用在VCR、VCD、DVD以及家庭影院等产品的显示屏驱动。     

应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺，设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下，通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构，实现电路版图面积的最小化，从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压，且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别，该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器，有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出，芯片总面积仅为0.14 mm²,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。     

一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在－35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10－6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。     

遥控赛车解码芯片的ASIC设计

提出了一种遥控赛车解码芯片的设计方阐述了芯片功能原理,对各模块的主要电路进行了设计、分析,其中给出了一些设计巧妙的电路结构,整个设计采用全原理图输入方式,最大程度地简化了电路,最后对整个方案进行了仿真。这种遥控赛车解码芯片可以完成对遥控电路接收端数字基带信号的解码,外围电路简单,大大简化了板级电路的复杂度、成本低,可靠性高。该芯片也适用于其他遥控玩具、防盗系统和电器遥控,应用广泛。整个方案在FPGA中通过了原型验证。     

线性间距固定电荷岛薄膜SOI功率器件

提出线性间距固定电荷岛高压器件新结构（LFI LDMOS）. 通过Cs和I离子注入埋氧层形成大量的线性间距固定电荷岛,吸引并积累动态空穴,这些空穴是增强埋氧层电场和提高击穿电压的关键. 利用固定电荷岛间距的线性变化改善表面电场分布,提高漂移区浓度,降低导通电阻. 数值结果表明, 在保持较小导通电阻下, LFI器件耐压高达500V,而常规器件仅为209V.     

700V折叠漂移区高压器件新结构

A new high-voltage LDMOS with folded drift region(FDR LDMOS) is proposed. The drift region is folded by introducing the interdigital oxide layer in the Si active layer, the result of which is that the effective length of the drift region is increased significantly. The breakdown characteristic has been improved by the shielding effect of the electric field from the holes accumulated in the surface of the device and the buried oxide layer. The numerical results indicate that the breakdown voltage of 700 V is obtained in the proposed device in comparison to 300 V of conventional LDMOS, while maintaining low on-resistance.     

高性能全差分运算放大器设计

为了得到更高的增益和更好的稳定性,采用两级放大结构和两种共模反馈环路,设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高性能两级全差分运算放大器。仿真结果表明,设计的运放在1.8V电源电压和5pF负载下,直流增益为97.12dB,单位增益带宽为756MHz,共模抑制比为323.24dB,相位裕度为46°。该运放可以运用于低压电路、高精度A/D转换器等。