Au丝键合改为Cu丝键合技术

现阶段Au丝作为内引线一直占着键合的主导地位,由于Cu丝具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为必然,封装行业许多厂家正热衷于将原有的Au丝键合设备进行改造,但还存在这样那样的问题。以Au丝键合改为Cu丝键合的技术研究为出发点,首先介绍了键合技术的发展,然后通过工艺调整和设备改造,使得Cu丝作为内引线能够代替Au丝在该设备上使用,同时达到了节约生产成本,节约资金的目的。对改造过程中的气体流量、压力、功率、焊接时间等参数问题进行了详细地阐述,同时对芯片、键合劈刀等也做了相应调整,使得改造后的检测结果完全满足产品要求。大力推进以Cu丝替代Au丝键合技术,可节约生产成本,提高键合强度,增强导电率、导热率等,具有重要的经济技术效益,必将迎来封装业的又一次大变革。     

真空烧结与隧道炉烧结工艺的应用比较

摘要：针对功率芯片组装热阻小、可靠性高的技术要求,通过试验和生产验证,将真空烧结工艺与隧道烧结炉工艺进行对比,证明真空烧结工艺可以解决生产中存在的空洞较多和热阻较大的质量问题。     

大功率白光LED封装工艺技术与研制

与传统的白炽灯、荧光灯照明相比,由于大功率白光LED具有显著的节能、环保、使用寿命长等一系列不可比拟的优势,代表着新型绿色、环保照明的发展方向,正迅速进军照明领域.从1 W大功率白光LED的封装工艺技术出发,在分析比较了几种产生白光LED方法的成本、性能的基础上,最终选取性价比相对较高的"蓝光芯片+YAG荧光粉"产生白光LED的制作方法.实践证明,在提高大功率白光LED发光效率、均匀性和稳定性等方面,还需要进一步开发新材料,采用新工艺.     

基于足部零速约束的行人自主导航微系统设计

随着智能健康管理水平的提升,对传感装备及其测量精度的技术要求也在不断提高。针对低精度微型惯性测量单元的不足,设计一种可穿戴鞋式的足部约束行人自主惯性导航微系统,分析行人行进过程的足部运动特征,构造基于足部零速约束的滤波算法模型,实现行进过程中的自主导航误差连续反馈修正,研制相应的硬件集成微系统并实现算法片上解算输出。多边形路线的行走实验测试结果表明,引入零速修正后的导航算法误差为行走距离的1.6%,导航精度提升约两个数量级。     

MES在半导体生产管理中的应用

MES将生产过程与信息化有效结合,具有实时管控生产状况、快速查找分析问题、提升信息回应速度的三大应用特点,对于优化生产工艺、节约制造成本、缩短生产周期、提高产出效率等效果显著,得到了国家政策的大力支持和推广。     

高压功率VDMOSFET的设计与研制

随着现代工艺水平的提高与新技术开发的多元化,功率VDMOSFE设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展,成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文按照功率VDMOSFE正向设计的思路,选取<100>晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,实现击穿电压和导通电阻的优化,同时优化元胞结构与结终端结构,兼顾开关特性及其它参数,最终完成工艺产品试制,基本可达到500V/8A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。     

高压功率VDMOSFET的设计与研制

按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取（100）晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥梁。相对于原来小批量投片、反复试制的方法,不仅节约了时间,降低了研制成本,而且模拟结果与实际试制结果之间能够较好地吻合。针对传统结终端结构的弊端,提出了一种新型结终端结构,大大提高了产品的击穿电压和可靠性。     

SiC整流器件发展现状及展望

阐述了碳化硅（SiC）材料的优异特性,并在此基础上,针对目前处于商业化热点的SiC整流器件,进行了重点介绍,分析了国内外发展现状,并对未来发展趋势做出展望。