直拉单晶炉减薄型加热器的数值模拟与实验分析

在直拉单晶炉中使用一种减薄型加热器替代原加热器,改变了单晶炉的热场温度分布。通过有限元模拟分析软件对减薄型加热器进行模拟分析,模拟结果指出减薄型加热器对提升单晶拉速、降低单晶炉功耗具有促进作用。通过对比两种加热器装料量,并进行单晶生长对比实验,实验指出,减薄型加热器在引晶、等径、收尾阶段均降低了功耗,提升了拉速。最后,数据分析指出减薄型加热器的经济性比原加热器有一定提升。     

晶片定位原理与算法

在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数据采集原理和数据特点,以及轮廓识别软件如何对数据进行分析和处理,最终实现对晶片的精确定位。     

基于PERL技术的硅基PIN光电二极管的设计与仿真

缺乏高质量的硅光电接受器件一直制约着全硅光电子回路的发展。分析讨论了PERL太阳能电池的高效光电特性技术,并将其应用于硅光电二极管,设计了一种高响应度,高截止频率的硅基PIN光电二极管的器件结构,说明了该结构的技术特点与制备工艺。使用SUPREM-IV仿真器对该器件进行了模拟仿真,讨论了I层的长度与厚度对器件性能的影响。     

直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究

直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高．在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。     

辐射探测器用高纯锗单晶技术研究

高纯锗单晶可以用作制备X射线辐射探测器。介绍了锗辐射探测器的研究现状与结构,论述了辐射探测器对高纯锗单晶的净杂质浓度、位错方面的要求。介绍了目前高纯锗生长主要的提纯方法和单晶生长方法,论述了以上这两种方法的主要技术特点。     

单晶炉保温与热屏优化的数值模拟与改造

改进CG6000型单晶炉的热场,增加下保温碳毡和上保温罩,改一段式导流筒为三段式导流筒。通过CGsim模拟软件的晶体生长模拟,对比了改进前与改进后的热场,模拟分析指出改进后热场加热功率降低,熔体温场改善,晶体﹑熔体轴向的温度梯度均升高,拉晶速率提升。通过单晶生长实验,验证了热场功率的降低和等径拉速的提高,改善在等径生长的后期更为明显。