平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计

通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析，指出了传统设计方法的缺点，提出了一种新的优化设计方法，使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配，从而提高了器件耐压的稳定性和可靠性。     

阳极短路GTO制造工艺的研究

阳极短路型门极可关断（ＧＴＯ）晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明，短路区的制作可以用先选择性扩散Ｎ＾＋层，然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制，以调节短路电阻，从而获得电特性的优化。