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利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaNLD外延膜(5μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件。 相似文献
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报道了一种新型的HTcSQUID二阶梯度计心磁测量系统。这套系统通过软件算法来克服二阶梯度计使用中屏蔽室内静磁场分布不均、各磁强计磁通/电压转换系数不同的影响,大幅度抑制了50Hz工频干扰,并且只需要对数据处理算法做少量修改,便可将此方法应用到多通道高阶梯度计的系统中。 相似文献
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垂直电极结构GaN基发光二极管的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高. 相似文献
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利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高. 相似文献
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在与心电信号具有同源性的同时,心磁信号还具有可以反映出封闭电流产生的磁场等优势。本实验使用YBCOHTcrfSQUID心磁测量系统,对多种对象进行了心磁与心电的同期测量,并对心磁信号进行基于小波的噪声消除。结果表明,在所使用的心电测量条件下,心磁信号相对心电信号有超前现象;并且实验用兔在受到不同麻醉剂作用以及模拟急性心肌梗死的冠状动脉结扎手术后,心磁信号表达出常规心电不具备的信息。这对心磁测量系统的开发和应用以及对心脏生理学研究有很重要的意义。 相似文献
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反应扩散作为一种普遍的现象,可以描述大量实际问题。由于边界条件在各种问题中的重要性,在模拟过程中一般采用零流或周期性边界条件。本文讨论了边界也为波源情况下螺旋波的演变过程。利用Field-Koros-Noyes模型对于二维情况下不同大小介质的数值模拟表明,随着参数的变化,介质中的波有不同的表现,并会伴随失稳现象。 相似文献
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