基于正交试验法的COB-LED散热器优化设计

COB-LED(chip on board LED)结温过高会影响寿命与可靠性,为了降低芯片温度,设计了一款带凹槽的半球型散热器。首先通过实验对模拟仿真结果进行对比,验证了ANSYS Workbench稳态热分析模块模拟仿真的合理性,然后采用正交试验法对半球型散热器进行模拟优化设计,从翅片高度、翅片个数、凹槽深度和翅片厚度4个方面考察了半球型散热器尺寸参数对COB-LED芯片最高温度的影响,得到了一个散热效率最优的结果。优化后芯片最高温度降低到63.705℃。优化后散热器体积小于太阳花型和翅型散热器,而散热效果在3者中最好。     

基于第一性原理计算的ΙA族元素掺杂p型ZnO光电学特性研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了Li、Na、K掺杂ZnO纤锌矿结构的晶格结构、电子结构(能带结构、态密度)和光学特性,计算结果表明,在掺杂Na或K的情况下,晶胞体积的计算值均略有增加,而掺杂Li的晶胞体积小于本征ZnO,原因可能是系统能量的减小导致晶胞体积的降低.Li、Na掺杂的ZnO...     

衬底类型对ZnO薄膜应用在太阳能电池上的影响

采用射频磁控溅射技术在硅衬底和石英玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同衬底对AZO薄膜的结构、形貌、电学和光学性质的影响.结果表明:硅衬底上沉积的AZO薄膜具有更好的结晶质量;同时,硅衬底上AZO薄膜电阻率和载流子浓度较玻璃衬底上的性能提高10倍以上,其霍尔迁移率提高约17倍左右,硅衬底上AZO薄膜...     

基于第一性原理计算的共掺型p型ZnO光电学特性对比研究

采用基于DFT的第一性原理研究了本征ZnO和Ag单掺、Ag-F（或N）共掺ZnO体系的晶格结构、电子结构和光学性质。结果表明：各掺杂体系与本征ZnO相比晶格常数a、c和晶胞体积基本都有所增大;虽然N3-离子半径高于F-,但Zn15AgO15N晶胞体积低于Zn15AgO15 F,是由于Zn15AgO15N体系的Ag-O和N-Zn键长均低于Zn15AgO15 F体系的Ag-O和F-Zn键长,且Zn15AgO15 N体系结构更稳定;Zn15AgO15N体系中杂质能级有所降低,所需电离能降低,杂质更易电离,Ag4d、N2d和O2p态电子在VBM处形成杂化;Zn15AgO15N在紫外光区和可见光区的吸收率和反射率上有较大的增强。Zn15AgO15 F体系由于施主-受主的补偿效应,导致了总体结构的不导电,可以看出Ag-F共掺不适合用于ZnO的p型转化,而Ag-N成功实现了浅施主能级的p型转化,且具有较好的光电学特性。这为ZnO在紫外短波长光电子器件上的应用提供了一定的依据。     

对大功率LED车灯芯片结温部分关键影响因素的研究

针对LED车灯芯片照明过程中结温过高的问题,文中对影响芯片结温高低的两种关键因素:LED车灯芯片内部发光源间距和芯片排布间距进行研究,以求有效降低芯片结温。通过ANSYS Workbench16.0软件进行芯片热仿真模拟,随后利用恒温测试平台对仿真结果可靠性进行了验证。验证结果表明,合理设置LED车灯芯片内部发光源之间的间距能有效降低芯片结温,最高可降低8.249 ℃;同时,适当增加LED车灯芯片之间排布间距亦可有效降低结温0.5 ℃。